Diodes柵極驅動(dòng)器可在半橋或全橋配置下開(kāi)關(guān)功率MOSFET與IGBT

　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅動(dòng)器及六款高/低側600V柵極驅動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開(kāi)關(guān)功率MOSFET與IGBT。目標應用包括大型家用電器的驅動(dòng)電機、工業(yè)自動(dòng)化系統以及電動(dòng)自行車(chē)和無(wú)人駕駛飛機等以電池供電的運載工具。新產(chǎn)品還適用于超過(guò)600W的電源，以及燃料電池、太陽(yáng)能和風(fēng)力發(fā)電應用的反相器。

　　DGD21xx系列具有可自舉到高達600V的浮動(dòng)高側驅動(dòng)器，使之適用于在電機驅動(dòng)器及電源常見(jiàn)的高壓電源軌。高峰值電流驅動(dòng)能力實(shí)現MOSFET與IGBT的快速開(kāi)關(guān)，從而在高頻率工作下提升效率。這些器件的輸入邏輯兼容低至3.3V，進(jìn)一步簡(jiǎn)化控制器及電源開(kāi)關(guān)之間的接口設計。

　　為防止MOSFET或IGBT出現擊穿現象，所有器件都提供延遲匹配能力，而半橋驅動(dòng)器還配備預設的內部死區時(shí)間。其它自我保護功能包括有效防止觸發(fā)故障狀態(tài)的施密特 (Schmitt) 輸入;能夠承受由高dV/dt開(kāi)關(guān)所產(chǎn)生負瞬態(tài)的柵極驅動(dòng)器，以及可在低供電電壓情況下防止故障的欠壓閉鎖。

　　新產(chǎn)品系列采用SO-8或SO-16封裝，與其他來(lái)源的器件引腳兼容。如欲了解進(jìn)一步產(chǎn)品信息，請訪(fǎng)問(wèn)www.diodes.com。