摩爾定律“壽終正寢” 半導體行業(yè)發(fā)展靠什么？

　　應變硅和三柵極晶體管等新技術(shù)歷經(jīng)了10多年的研究才得到商用。遠紫外光技術(shù)被探討的時(shí)間更長(cháng)。而成本因素也需要考慮。相應于摩爾定律，我們還有一個(gè)洛克定律。根據后一定律，芯片制造工廠(chǎng)的成本每4年就會(huì )翻番。新技術(shù)的發(fā)展可能將帶來(lái)更高的芯片集成度，但制造這種芯片的工廠(chǎng)將有著(zhù)高昂的造價(jià)。

　　近期，我們已經(jīng)看到這些因素給芯片公司造成了現實(shí)問(wèn)題。英特爾原計劃于2016年在Cannonlake處理器中改用10納米工藝，這小于當前Skylake芯片采用的14納米工藝。去年7月，英特爾調整了計劃。根據新計劃，英特爾將推出另一代處理器Kaby Lake，并沿用此前的14納米工藝。Cannonlake和10納米工藝仍在計劃之中，但被推遲至2017年下半年發(fā)布。

　　與此同時(shí)，新增的晶體管變得越來(lái)越難用。80至90年代，新增晶體管帶來(lái)的價(jià)值顯而易見(jiàn)。奔騰處理器的速度遠高于486處理器，而奔騰2代又遠好于奔騰1代。只要處理器升級，計算機性能就會(huì )有明顯的提升。然而在進(jìn)入00年代之后，這樣的性能提升逐漸變得困難。受發(fā)熱因素影響，時(shí)鐘頻率無(wú)法繼續提高，而單個(gè)處理器核心的性能只能實(shí)現增量式增長(cháng)。因此，我們看到處理器正集成更多核心。從理論上來(lái)說(shuō)，這提升了處理器的整體性能，但這種性能提升很難被軟件所利用。

　　半導體行業(yè)的新路線(xiàn)圖

　　這一系列困難表明，由摩爾定律驅動(dòng)的半導體行業(yè)發(fā)展路線(xiàn)圖即將終結。但摩爾定律日薄西山并不意味著(zhù)半導體行業(yè)進(jìn)步的終結。

　　愛(ài)荷華州大學(xué)的計算機科學(xué)家丹尼爾-里德(Daniel Reed)打了個(gè)比方：“想一想飛機行業(yè)發(fā)生了什么，一架波音787并不比上世紀50年代的707快多少，但是它們仍然是非常不同的兩種飛機?！北热缛娮涌刂坪吞祭w維機身?！皠?chuàng )新絕對會(huì )繼續下去，但會(huì )更細致和復雜?！?/p>

　　2014年，國際半導體技術(shù)路線(xiàn)圖組織決定，下一份路線(xiàn)圖將不再依照摩爾定律?！蹲匀弧冯s志刊文稱(chēng)，將于下月發(fā)布的下一份路線(xiàn)圖將采用完全不同的方法。

　　新的路線(xiàn)圖不再專(zhuān)注于芯片內部技術(shù)，而新方法被稱(chēng)作“比摩爾更多”。例如，智能手機和物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展意味著(zhù)，多樣化的傳感器和低功耗處理器的重要性將大幅提升。用于這些設備的高集成度芯片不僅需要邏輯處理和緩存模塊，還需要內存和電源管理模塊，用于GPS、移動(dòng)網(wǎng)絡(luò )和WiFi網(wǎng)絡(luò )的模擬器件，甚至陀螺儀和加速計等MEMS器件。

　　以往，這些不同類(lèi)型的器件需要用到不同的制造工藝，以滿(mǎn)足不同需求。而新路線(xiàn)圖將提出，如何將這些器件集成在一起。整合不同制造工藝、處理不同原材料需要新的處理和支持技術(shù)。如果芯片廠(chǎng)商希望為這些新市場(chǎng)開(kāi)發(fā)芯片，那么解決這些問(wèn)題比提高芯片集成度更重要。

　　此外，新的路線(xiàn)圖還將關(guān)注新技術(shù)，而不僅是當前的硅CMOS工藝。英特爾已宣布，在達到7納米工藝之后，將不再使用硅材料。銻化銦和銦鎵砷化合物都有著(zhù)不錯的前景。與硅相比，這些材料能帶來(lái)更快的開(kāi)關(guān)速度，而功耗也較低。碳材料，無(wú)論是碳納米管還是石墨烯，也在繼續被業(yè)內研究。

　　在許多備選材料中，二維材料“石墨烯”被看好。這種自旋電子材料通過(guò)翻轉電子自旋來(lái)計算，而不是通過(guò)移動(dòng)電子。這種“毫伏特”量級(操作電壓比“伏特”量級的晶體管要低得多)的電子開(kāi)關(guān)比硅材料開(kāi)關(guān)的速度更快，而且發(fā)熱量更小。不幸的是這種電子材料還未走出實(shí)驗室。

　　石墨烯的掃描探針顯微鏡圖像

　　盡管優(yōu)先級下降，但縮小尺寸提高集成度的做法并未被徹底拋棄。在三柵極晶體管的基礎上，到2020年左右，“柵極全包圍”晶體管和納米線(xiàn)將成為現實(shí)。而到20年代中期，我們可能將看到一體化3D芯片的出現，即在一整塊硅片上制作多層器件。