Diodes 100V MOSFET H橋采用5mm x 4.5mm封裝有效節省占位面積

　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的100V全H橋DMHC10H170SFJ，把雙N通道及P通道 MOSFET集成到微型DFN5045封裝 (5mm x 4.5mm)。這種配置可減少元件數量以及節省電路板空間，另外對要求配備多種器件的應用尤為重要，包括一系列工業(yè)檢測系統或海事聲吶設備內的超聲波換能器。其它常見(jiàn)的應用有48V電信設備散熱風(fēng)扇的直流驅動(dòng)電機，以及無(wú)線(xiàn)充電板線(xiàn)圈等電感負載。

　　DMHC10H170SFJ具有100V漏源極擊穿電壓 (BVDSS)，提供充足的凈空以支持48V電信軌和工業(yè)應用。它還配備5V的柵極電壓，以簡(jiǎn)化微控制器的直接邏輯電平接口之設計。該器件的峰值脈沖電流額定值為11A，使之能夠在驅動(dòng)線(xiàn)圈通電時(shí)處理沖擊電流，這一般比直流電機的典型工作電流大五倍。

　　新產(chǎn)品可替代四個(gè)SOT23或兩個(gè)SO-8封裝器件，使多個(gè)超聲波換能器能以緊湊的陳列部署。以1,024個(gè)換能器一組為例，每個(gè)都必須由H橋單獨驅動(dòng)，從而為相控陣系統提供可控的聚焦光束。這種系統用來(lái)檢測材料生產(chǎn)流程，并且適用于海事回聲定位系統。

　　DMHC10H170SFJ采用了V-DFN5045-12封裝，提供市場(chǎng)上獨有的超小尺寸解決方案。新產(chǎn)品以三千個(gè)單元為出貨批量。如欲了解進(jìn)一步產(chǎn)品信息，請訪(fǎng)問(wèn)www.diodes.com。