光電流使LED效率下降的原因更加明朗

在高驅動(dòng)電流下GaN的效率降低了，關(guān)于這個(gè)下降起源的爭論一直在持續著(zhù)，光電流測量為它帶來(lái)轉機。

據估計，由InGaN量子阱諧振光激勵生成的載流子限制了LED,使它不具備這個(gè)特定的層結構。但來(lái)自RPI的FredSchubert及合作伙伴展示了這些受光激發(fā)的載流子能從阱中泄露出去，即便是當這些結構長(cháng)得不偏不倚的。

這個(gè)發(fā)現為LED下降的早期性實(shí)驗研究投下了陰影。Schubert小組之前宣布電子泄露是下降的原因，他們猜想，在一個(gè)InGaN/GaN異質(zhì)結構中，它所含InGaN層的諧振光激勵不能導致載流子逃逸，就如實(shí)驗說(shuō)明的。PhilipsLumi作相同的猜想，他們宣稱(chēng)光學(xué)實(shí)驗揭示了俄歇式復合導致了下降問(wèn)題。

RPI現在的觀(guān)點(diǎn)是，他們的實(shí)驗無(wú)法決定到底哪個(gè)才是下降的原因，俄歇復合還是載荷逃逸?

這個(gè)光電流實(shí)驗用到的是一個(gè)300×300μm器件，器件內含一個(gè)常規的InGaN/GaN多量子阱以及一個(gè)電子阻擋層。當使用405nm的光源泵浦時(shí)，這些406nmLED可在全偏條件下產(chǎn)生明顯的光電流，在激發(fā)功率是1mW時(shí)，零偏壓器件的光電流超過(guò)15μA.

一些LED團體的研究人員認為，不同的樣品才是導致不同下降起源的根本原因;為了解決這個(gè)問(wèn)題，RPI開(kāi)始調查這些來(lái)自其他制造商的樣品，Fred的兒子Martin Schubert表示，“我們測量所有樣品在諧振激勵下的載流子逃逸”.

現在這個(gè)小組打算重溫早期的工作，包括外量子效率和光致光效率之間的對比。MartinSchubert解釋道，“我們也將期待其他的實(shí)驗，更進(jìn)一步研究偏壓條件下LED在干些什么”.

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