基于MCU智能注射裝置實(shí)現智能電離子透入療法
2、從電路原理圖可見(jiàn)設計的簡(jiǎn)潔性
在電路原理圖(圖2)中,Q1是主要開(kāi)關(guān)晶體管。MOSFET Vds擊穿和D1的擊穿電壓應大于電路的最大預期輸出電壓。當微控制器檢測到輸出電流低于預期大小時(shí),它會(huì )快速地連續四次對MOSFET加脈沖以提高電壓輸出。這四個(gè)脈沖將產(chǎn)生更大電流和加速負荷下的上升時(shí)間?;蛘?,可用PWM驅動(dòng)MOSFET,這樣允許來(lái)自升壓電路的更高輸出。R6/C6為電流檢測網(wǎng)絡(luò )。
由于PIC12F683體積小、成本低、配置有內部ADC、固定基準電壓、集成比較器、PWM、硬件定時(shí)器和內部EEPROM,所以它被本設計選定為MCU。使用固定參考電壓可省去調節器或外部參考電壓,使該設計可做成一個(gè)8引腳器件以便進(jìn)一步降低成本。
該設計還包含兩個(gè)用于用戶(hù)界面的LED,一個(gè)連接至復位部件的啟動(dòng)按鈕。
測試結果
在測試過(guò)程中,捕捉到了如圖3和4所示的波形。
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