醫療鉭電容推薦

創(chuàng )新器件采用七種緊湊的外形尺寸，具有200nA的超低DCL和固有的高可靠性、篩選選項，包括針對關(guān)鍵的醫療和軍工/航天應用的weibull失效率分級

Vishay 推出新款TM8系列高可靠性、表面貼裝、具有低至200nA的超低直流泄露電流(DCL)的鉭電容器。

在早期的醫療設備平臺中，直流泄漏僅僅是尚可的水平，然而現在則要求更低的直流泄漏。通過(guò)使用Vishay獨有的多陣列封裝(MAP)，新的TM8器件顯著(zhù)降低了直流漏電，并實(shí)現了更好的穩定性。借助專(zhuān)利的MAP組裝技術(shù)，TM8電容器為在這些應用中實(shí)現盡可能高的可靠性和效率提供了一個(gè)健全的設計。此外，器件遵照MIL-PRF-55365標準進(jìn)行了了嚴格的處理和測試。

在7種緊湊的外形尺寸內，TM8系列提供從1μF/40V至47μF/10V的容量-電壓(CV)等級范圍。電容器很適合植入式醫療設備、醫療儀器及軍工/航天系統等關(guān)鍵應用中對長(cháng)期性能的要求。TM8器件還具有特殊的篩選和為特定應用定制的選項。

Vishay膽電容為諸多設備中的濾波、耦合/解耦、直流阻塞和儲能應用進(jìn)行了優(yōu)化，如起搏器、ICD、神經(jīng)刺激器、助聽(tīng)器和人工耳蝸等醫療設備；病人監護設備、自動(dòng)給藥系統、成像和診斷設備等醫療儀器；軍用和航天混合微電路/多芯片模塊、智能軍需、GPS系統、傳感器及手持式便攜電子系統。

為保證在苛刻環(huán)境中的可靠性和長(cháng)期性能，Vishay提供了在+85℃下40小時(shí)的老化階段或weibull分級B級，利用這兩種篩選方法能夠達到0.1%的失效率。浪涌電流選項包括選項A(在+25℃進(jìn)行10個(gè)循環(huán))和選項B(在-55℃/+85℃下進(jìn)行10個(gè)循環(huán))。Vishay使用專(zhuān)用生產(chǎn)線(xiàn)生產(chǎn)這些電容器，并經(jīng)驗豐富的員工確保在生產(chǎn)過(guò)程中各個(gè)環(huán)節的生產(chǎn)質(zhì)量。

電容器采用緊湊的L、M、N、P、R、T和W外形代碼，是空間受限的便攜式/植入式應用的絕佳選擇，同時(shí)其低DCL確保高效運行并延長(cháng)電池壽命。TM8的L形接頭允許采用高級電路板安裝，在最終用戶(hù)的量產(chǎn)中可對焊錫的圓角進(jìn)行視覺(jué)檢查(或自動(dòng)光學(xué)檢查)。

這些符合RoHS的器件的工作溫度為-55℃～+85℃，電壓降級情況下的溫度可達+125℃，電壓范圍為2WVDC～40WVDC。

TM8電容器采用符合per EIA-481-1標準的卷帶包裝，現可提供樣品，并已實(shí)現量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十周。

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