一種圓形共形相控陣天線(xiàn)的設計與分析
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從圖2、圖3可以看出，在其他參數不變的情況下，隨著(zhù)N的增加，即天線(xiàn)口徑的增大，波束寬度逐漸減小，并且能量增大，能量利用率提高，掃描效果更好。當N取3時(shí)，第一旁瓣和主瓣電平差大約為14．61dB，N取4時(shí)，第一旁瓣和主瓣電平差大約為13．61dB，兩者總能量相差11．49dB，電平差相差1dB。當主波束指向為陣法面方向，即波束不掃描時(shí)，半波功率寬度隨N、m的變化規律如表1所示。單位dB。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/195284.htm
圖4為Nd=8，Md=8(Nd=8，Md=8為橫縱軸的陣元數)，陣元總數64，陣元間距均為dx=dy=o．5λ，θm=0°，φm=0°的矩形柵格平面相控陣天線(xiàn)的波束方向圖與功率方向圖，該條件下的矩形口徑相控陣天線(xiàn)與m=4，N取到4，陣元總數為60，r=O．5λ，θm=0°，φm=0°時(shí)的圓形口徑平面相控陣大致相仿。
經(jīng)過(guò)計算，矩形平面相控陣天線(xiàn)的主旁瓣電平差為17dB左右，比圓形平面相控陣天線(xiàn)要高3．39dB，即圓形平面陣的旁瓣能量要略高于矩形口徑平面陣。由以上結果可知，圓形平面陣的抗干擾及雜波抑制性能略遜于同等規模的矩形口徑平面陣天線(xiàn)。
4 結束語(yǔ)
本文研究了一種陣元非均勻對稱(chēng)排列的平面相控陣天線(xiàn)，從該天線(xiàn)的方向圖入手，經(jīng)過(guò)計算推導得出了其方向圖公式，并利用Matlab仿真軟件對其各項性能，如半波功率點(diǎn)波束寬度、旁瓣電平等進(jìn)行了仿真和數據分析，并且與同等規模的矩形平面相控陣天線(xiàn)進(jìn)行了對比，得出了主波束寬度優(yōu)于矩形平面相控陣天線(xiàn)的結論，抗干擾能力更強。這些工作對于深入研究圓口徑平面相控陣天線(xiàn)有一定的指導意義。
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