Synopsys公司發(fā)布DFM新系列產(chǎn)品

解決45納米及以下工藝相關(guān)變異問(wèn)題

創(chuàng )新的工藝識別DFM系列產(chǎn)品有助于設計者減少工藝變異的影響，
改善先進(jìn)半導體的制造設計

全球領(lǐng)先的電子設計自動(dòng)化（EDA）軟件工具領(lǐng)導廠(chǎng)商Synopsys推出了具備工藝識別功能的可制造性設計(DFM)新系列產(chǎn)品PA－DFM，用于分析45納米及以下工藝定制/模擬設計階段的工藝變異的影響。隨著(zhù)工藝尺寸的日益減小，先進(jìn)硅技術(shù)將引起更多如應力工程的變異問(wèn)題，這將越來(lái)越影響電路的性能。Synopsys PA-DFM系列的核心產(chǎn)品Seismos 和 Paramos 可將制造變異信息反標回設計階段，幫助定制IC（IP、標準單元、存儲器和模擬線(xiàn)路）的設計人員優(yōu)化布局并最大限度提高成品率。該產(chǎn)品系列是Synopsys幫助客戶(hù)在設計制造工藝的關(guān)鍵環(huán)節提高成品率的另一核心產(chǎn)品。

晶體管工藝變異是當前DFM領(lǐng)域面臨的重大挑戰，而PA-DFM產(chǎn)品是唯一解決相關(guān)變量問(wèn)題的方法。這些產(chǎn)品可通過(guò)整合設計工藝的精確物理建模信息，解決由于設計和生產(chǎn)交互作用所引起的參量變異問(wèn)題，是建立在Synopsys先進(jìn)的工藝和器件建模工具TCAD專(zhuān)業(yè)能力基礎上的最新進(jìn)展。這些Synopsys DFM最新增加的產(chǎn)品補充了該公司最近推出的成品率分析工具PrimeYield和統計時(shí)序分析工具 PrimeTime® VX，以及統計參數提取工具Star-RCXT™ VX。

UMC的IP和設計支持事業(yè)部總監Ken Liou表示：“由于先進(jìn)技術(shù)結點(diǎn)需要增加新的工序，因此工藝變異問(wèn)題使DFM設計人員面臨越來(lái)越大的挑戰。例如，目前的建模解決方案還不能解釋通孔布局是如何影響可以用來(lái)增強遷移率的應力膜。我們非常高興地看到DFM解決方案在不斷向前發(fā)展，并愿意與Synopsys合作采用其45納米及以下工藝的PA-DFM工具?！?

為了確保與原有設計架構的無(wú)縫整合，最新PA-DFM產(chǎn)品被設計為可以輕松嵌入客戶(hù)現有設計流程和方法，在滿(mǎn)足客戶(hù)減少工藝變異問(wèn)題需求和提高電路性能的前提下保護客戶(hù)投資。PA-DFM產(chǎn)品有助于IC設計人員在實(shí)現45納米及以下技術(shù)的全部潛能的同時(shí)，最大限度地提高成品率。

 
通過(guò)集成基于TCAD驅動(dòng)的模型和物理設計工具，Synopsys填補了納米級IC設計的關(guān)鍵空白。PA-DFM產(chǎn)品系列與公司的行業(yè)標準級產(chǎn)品HSPICE®電路模擬工具、PrimeTime® VX和Star-RCXT™ VX工具的有效配合，強化了Synopsys公司的解決工藝變異問(wèn)題的能力，進(jìn)而提升了性能、生產(chǎn)效率和可預測性。所有這些工具都具有高度的互補性，有助于客戶(hù)解決設計實(shí)現中元件布局所引起的工藝變異問(wèn)題。

強大而完整的功能
Seismos 和Paramos工具的組合可以解決設計當中引起工藝變異的兩大問(wèn)題：由于應力和其它臨近效應引起的逼近變異，以及跨越不同裸片和晶圓間制造工藝參數的延展而引起的全局變異。通過(guò)在制造工藝中應用精確的物理建模，設計人員可以在不大規模改變當前實(shí)際設計流程的條件下描述制造可變異性的問(wèn)題。

Seismos是晶體管級的工具，用來(lái)分析在納米級張力條件下硅技術(shù)的應力和其它逼近效應。由于目前65納米技術(shù)結點(diǎn)已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段，而45納米技術(shù)結點(diǎn)剛進(jìn)入試生產(chǎn)階段，因此客戶(hù)需要分析因逼近效應產(chǎn)生的參數變化的能力，如晶體管應力狀態(tài)對布局產(chǎn)生的影響。Seismos是可以滿(mǎn)足這一關(guān)鍵需求的第一款EDA工具。其模型通過(guò)硅數據經(jīng)過(guò)了嚴格的TCAD仿真驗證。該工具可以輕松實(shí)現數百萬(wàn)晶體管的設計。

通過(guò)提取工藝識別的SPICE緊湊模型，結合了校準的TCAD仿真與全局SPICE提取，Paramos直接將SPICE模型與制造條件連接，這有助于客戶(hù)模擬工藝變異（統計或系統方面）對電路性能產(chǎn)生的影響。這種方法可為客戶(hù)提供用于電路性能統計計時(shí)仿真的實(shí)際變量模型，允許客戶(hù)將設計敏感度的探索深入到實(shí)際的物理工藝參數當中。
Synopsys TCAD事業(yè)部總經(jīng)理Wolfgang Fichtner 表示：“在45納米及以下工藝，我們的客戶(hù)必須對工藝變異的影響及變異的來(lái)源有清晰的認識。Synopsys新的工藝具備識別功能的PA-DFM系列產(chǎn)品可幫助我們的客戶(hù)更深入地了解引起工藝變異的底層物理現象。此外，這些工具還幫助我們的客戶(hù)充分利用Synopsys的TCAD、DFM和工藝變異識別統計分析技術(shù)的優(yōu)勢，開(kāi)發(fā)并優(yōu)化他們的設計流程和方法學(xué)，進(jìn)一步完善半導體工藝。這將顯著(zhù)節約時(shí)間和成本，最終使芯片制造商實(shí)現更高的產(chǎn)量?！?