氧化鋅壓敏電阻器的原理介紹及其應用

壓敏電阻是中國大陸的名詞，意思是在一定電流電壓范圍內電阻值隨電壓而變，或者是說(shuō)電阻值對電壓敏感的阻器。相應的英文名稱(chēng)叫“Voltage Dependent Resistor”簡(jiǎn)寫(xiě)為“VDR”。

　　壓敏電阻器的電阻體材料是半導體，所以它是半導體電阻器的一個(gè)品種?，F在大量使用的氧化鋅(ZnO)壓敏電阻器，它的主體材料有二價(jià)元素(Zn)和六價(jià)元素氧(O)所構成。所以從材料的角度來(lái)看，氧化鋅壓敏電阻器是一種“Ⅱ-Ⅵ族氧化物半導體”。

　　在中國臺灣，壓敏電阻器是按其用途來(lái)命名的，稱(chēng)為突波吸收器。壓敏電阻器按其用途有時(shí)也稱(chēng)為“電沖擊(浪涌)抑制器(吸收器)”。

　　一、氧化鋅壓敏電阻器微觀(guān)結構及特性

　　氧化鋅壓敏電阻器是一種以氧化鋅為主體、添加多種金屬氧化物、經(jīng)典型的電子陶瓷工藝制成的多晶半導體陶瓷元件。它的微觀(guān)結構如圖1所示。氧化鋅陶瓷是由氧化鋅晶粒及晶界物質(zhì)組成的，其中氧化鋅晶粒中摻有施主雜質(zhì)而呈N型半導體，晶界物質(zhì)中含有大量金屬氧化物形成大量界面態(tài)，這樣每一微觀(guān)單元是一個(gè)背靠背肖特基勢壘，整個(gè)陶瓷就是由許多背靠背肖特基墊壘串并聯(lián)的組合體。圖2是壓敏電阻器的等效電路。

　　氧化鋅壓敏電阻器的典型V-I特性曲線(xiàn)如圖3所示：

　　預擊穿區：在此區域內，施加于壓敏電阻器兩端的電壓小于其壓敏電壓，其導電屬于熱激發(fā)電子電導機理。因此，壓敏電阻器相當于一個(gè)10MΩ以上的絕緣電阻 (Rb遠大于Rg)，這時(shí)通過(guò)壓敏電阻器的阻性電流僅為微安級，可看作為開(kāi)路。該區域是電路正常運行時(shí)壓敏電阻器所處的狀態(tài)。

　　擊穿區：壓敏電阻器兩端施加一大于壓敏電壓的過(guò)電壓時(shí)，其導電屬于隧道擊穿電子電導機理(Rb與Rg相當)，其伏安特性呈優(yōu)異的非線(xiàn)性電導特性，即：