淺析選用高斯計的方法

四、永磁B-H磁滯回線(xiàn)測量?jì)x

永磁B-H磁滯回線(xiàn)測量?jì)x可測量永磁材料的磁滯回線(xiàn)和退磁曲線(xiàn)，準確測量剩磁Br、矯頑力HcB、內稟矯頑力HcJ和最大能積(BH)max等磁特性參數。

隨著(zhù)計算機系統集成技術(shù)的迅速發(fā)展與應用，基于計算機操作平臺的磁測量系統也應運而生。

五、充磁

在磁體長(cháng)度接近充磁線(xiàn)圈的情況下充磁時(shí)，磁體的垂直中心位置應與充磁線(xiàn)圈的垂直中心位置重合，這樣才能保證磁體兩端磁場(chǎng)強度相等，保證充磁的對稱(chēng)性減小由於充磁方法的原因造成磁體兩端表面磁場(chǎng)強度相等。

理論證明，充磁線(xiàn)圈兩端磁場(chǎng)強度是線(xiàn)圈的中心點(diǎn)的磁場(chǎng)強度是的1/2，在磁體接近充磁線(xiàn)圈的長(cháng)度時(shí)，對於H、SH以上系列的產(chǎn)品有可能無(wú)法飽和充磁，當磁場(chǎng)強度不是足夠大時(shí)，即使時(shí)M、N系列的產(chǎn)品也無(wú)法飽和充磁。在一般情況下，充磁磁體的長(cháng)度最好小於充磁線(xiàn)圈的2/3。

六、磁體易磁化方向的判定

對於正方形方塊、垂直軸向取向的圓柱都存在取向(易磁化方向)的識別問(wèn)題，可以采用已充磁的產(chǎn)品或借用儀器進(jìn)行識別，具體方法如下：

(1)、用已充磁的產(chǎn)品進(jìn)行識別：對於正方形方塊，由於材料的各向異性，磁籌是按取向方向排列，因而取向方向易於磁化，磁化之后異極相吸吸力較大，而非取向方向的吸力則小，以次來(lái)識別判定取向方向;檢測用的磁鐵應稍大一些，過(guò)磁體小時(shí)吸力大小差異不易判別;對於垂直軸向取向的圓柱，一般只能用已充磁的磁體進(jìn)行檢測：用磁鐵吸圓柱表面，將圓柱吸起，與地面垂直的方向即為取向充磁方向;

(2)、利用磁通計進(jìn)行識別：可以在正方形材料上吸一塊磁鐵，磁鐵的方向與磁通線(xiàn)圈垂直，磁通值相對較大的一面為取向面，與此面垂直的方向為取向方向。

高斯(G)，非國際通用的磁感應強度單位。為紀念德國物理學(xué)家和數學(xué)家高斯而命名。

單拉換算：1T(特斯拉)=1000MT(毫特斯拉)=10000GS(高斯)

1MT=10GS

什么是霍爾效應

半導體薄片置于磁感應強度為B的磁場(chǎng)中，磁場(chǎng)方向垂直于薄片，如圖所示。當有電流I流過(guò)薄片時(shí)，在垂直于電流和磁場(chǎng)的方向上將產(chǎn)生電動(dòng)勢EH，這種現象稱(chēng)為霍爾效應，該電動(dòng)勢稱(chēng)為霍爾電勢，上述半導體薄片稱(chēng)為霍爾元件。

原理簡(jiǎn)述如下：激勵電流I從a、b端流入，磁場(chǎng)B由正上方作用于薄片，這時(shí)電子e的運動(dòng)方向與電流方向相反，將受到洛侖茲力FL的作用，向內側偏移，該側形成電子的堆積，從而在薄片的c、d方向產(chǎn)生電場(chǎng)E。電子積累得越多，FE也越大，在半導體薄片c、d方向的端面之間建立的電動(dòng)勢EH就是霍爾電勢。

由實(shí)驗可知，流入激勵電流端的電流I越大、作用在薄片上的磁場(chǎng)強度B越強，霍爾電勢也就越高。磁場(chǎng)方向相反，霍爾電勢的方向也隨之改變，因此霍爾傳感器能用于測量靜態(tài)磁場(chǎng)或交變磁場(chǎng)。