一種采用CMOS 0．18μm制造的帶EBG結構小型化的片
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1．2 帶EBG結構的片上天線(xiàn)
我們將圖2中的EBG結構應用到片上天線(xiàn)的設計中，如圖4所示。該EBG結構加載到一根片上偶極子天線(xiàn)的輸入端。該一種小型化具諧波抑制功能的偶極子天線(xiàn)的長(cháng)度為1.6mm。
圖5為本設計的片上天線(xiàn)對的仿真布局圖及仿真所得的S參數。一對帶EBG結構的片上偶極子天線(xiàn)相距3 mm的距離相對放置在地面上。仿真所得的該天線(xiàn)的諧振頻率為20 CHz。通常，在硅襯底(εr=11．9)上，工作在20 GHz的普通片上半波偶極子天線(xiàn)長(cháng)度大約為4 mm，而本次設計的天線(xiàn)長(cháng)度僅為1．6 mm，極大的縮短了天線(xiàn)的尺寸。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/192823.htm
同時(shí)，該帶EBC結構的小型化片上天線(xiàn)在三次諧波附近(60 GHz)，其S21為-63 dB，其三次諧波被極大的抑制。
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