<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>

新聞中心

EEPW首頁(yè) > 模擬技術(shù) > 設計應用 > 3.7 GHz寬帶CMOS LC VCO的設計

3.7 GHz寬帶CMOS LC VCO的設計

作者: 時(shí)間:2009-04-20 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏

當開(kāi)關(guān)處于OFF狀態(tài)時(shí),開(kāi)關(guān)電容

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/188965.htm


振蕩頻率正比于因此調節范圍取決于最大電容和最小電容的比值,由式(3)、(4)可以得到最大電容和最小電容的比值為


從公式(5)、(6)可以看到開(kāi)關(guān)電容最大的Q值與最大的調節比率之間存在沖突。C0由工作頻率w0決定,因此Wsw在優(yōu)化中是最重要的設計參數。
開(kāi)關(guān)電容的Q值可以通過(guò)差分電容開(kāi)關(guān)的方式來(lái)改善,如圖7所示。當開(kāi)關(guān)處于ON狀態(tài)的時(shí)候只有溝道電阻RON的一半與電容串聯(lián),相比于單端的結構,Q值可以提高一倍。M2和M3為工作在亞閾值區的有源電阻,可以為MOS開(kāi)關(guān)的源端和漏端提供直流偏置。

當Vsw設為0的時(shí)候,VD/S=0,VG=VDD,因此MOS開(kāi)關(guān)管的VGs―VT達到最大,從差分端口看進(jìn)來(lái),等效電容達到最大,因此電路振蕩在較低的頻率上;當Vsw設為VDD時(shí),VD/S=VDD,VG=0 V,電路工作在較高的頻率上。
1.4 輸出緩沖器及匹配電路的設計
為了將的輸出信號送到片外,考慮到外部電容很大,采用了電感負載的緩沖器,通過(guò)選擇合適的電感和電容使其諧振在3.7 ,如圖8所示。

在匹配電路的設計上,選用了π型匹配電路,首先利用spectreRF仿真得到輸出緩沖器的S22參數,然后構建匹配電路使其阻抗達到50 Ω。具體的匹配電路(1.3 nH為邦線(xiàn)電感,94.9 pF的電容為隔直電容)及其Smith圓圖如圖9所示。

2 測試結果
是用于3.7 鎖相環(huán)的,整個(gè)鎖相環(huán)是在和艦0.18μm混合信號工藝下制造的,整個(gè)的面積為0.4 mm×1 mm,芯片照片如圖10所示。測試得到的VCO的工作頻率為3.4~4 ,有16%的調節范圍,調節電容陣列開(kāi)關(guān)得到的頻率隨控制電壓的變化曲線(xiàn)如圖11所示。在1.8 V電源電壓下的功耗為10 mW;在1 MHz頻偏處的相位噪聲為一100 dBc/Hz。測試得到的VCO輸出頻譜如圖12所示,輸出功率相對較低,主要是由于對邦線(xiàn)的寄生電感和寄生電容估計出現偏差導致匹配電路沒(méi)有實(shí)現完全匹配,但這對VCO性能的測試沒(méi)有實(shí)質(zhì)的影響。

3 結論
基于和艦0.18μm混合信號工藝設計了一款工作在3.7 GHz的VCO。本文著(zhù)重論述了電感與射頻開(kāi)關(guān)的設計,通過(guò)采用電容開(kāi)關(guān)陣列的方式增加了VCO的工作范圍以補償PVT的變化所帶來(lái)的影響。測試結果表明,該VCO可用于鎖相環(huán)和頻率合成器。


上一頁(yè) 1 2 下一頁(yè)

關(guān)鍵詞: CMOS GHz VCO LC

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專(zhuān)區

關(guān)閉
国产精品自在自线亚洲|国产精品无圣光一区二区|国产日产欧洲无码视频|久久久一本精品99久久K精品66|欧美人与动牲交片免费播放
<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>