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基于SG3525的DC/DC直流變換器的研究

作者: 時(shí)間:2009-09-17 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏
(變壓器效率η取為1,這個(gè)效率不包括整流二極管在內),取工作磁感應強度Bm=170mT,電流密度j取4.8A/mm2,銅在磁心窗口中的占空系數Km(初選時(shí)取0.2~0.3),實(shí)際計算是取Km=0.2 5,則計算面積乘積

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/188627.htm

取EEl6磁心,它的中心磁鐵截面積(Ae)19.2mm2,磁心的窗口面積(Aw)為39.85mm2,因此EEl6的功率容量為Ae×Aw=19.2×39.85mm4=0.0765cm4,而計算面積乘積AP=O.029cm4,它明顯小于上面的功率容量的乘積0.0765,可見(jiàn)采用EEl6磁心時(shí),其功率容量已足夠大。繞組匝數計算如下:先確定最低電壓繞組的匝數


取偶數N1=34,其中開(kāi)關(guān)管最大導通時(shí)間Tcn=9μs,控制器輸出頻率f=45kHZ。按照原邊34匝,副邊8匝繞制變壓器,在變壓器的繞制過(guò)程中,為了減少變壓器的漏感,要將原邊繞組和副邊繞組緊密耦合。
2.2 控制及驅動(dòng)電路設計
采用集成PWM控制器作為控制芯片,它的外圍電路簡(jiǎn)單。電路中的鋸齒波生成電路由RT、CT和內部電路組成,本設計取CT=4700pF,RT=3.3kΩ,RD=100Ω,經(jīng)計算振蕩器輸出頻率是90kHz,PWM輸出頻率定為45kHz。軟啟動(dòng)電容接入端(引腳8)接一個(gè)lμF的軟啟動(dòng)電容。只有軟啟動(dòng)電容充電使引腳8處于高電平時(shí),才開(kāi)始工作。
系統中的基準比較調節電路則由基準引腳Vref、同相輸入端及外圍電阻構成。2腳的電壓固定值接近5V。的l、2、9腳及其外圍電路構成了PI調節器,它的輸出與5腳鋸齒波和軟啟動(dòng)電容一起可控制PWM控制器以產(chǎn)生方波。它的輸出級ll、14腳輸出兩路互補的PWM波,采用圖騰柱式結構,灌拉電流能力超過(guò)200mA,可以直接驅動(dòng)MOSFET管,只需加一門(mén)級電阻即可。在本設計選用的是IR公司生產(chǎn)的IRF630。其具體設計電路如原理圖中所示。
2.3 反饋補償電路設計
為了確保輸出的穩定,在+5V上引入反饋,采用2.5~36V可調式精密并聯(lián)穩壓器TL43l作為穩壓器件。TL43l是德州儀器公司生產(chǎn)的一款有良好熱穩定性的三端可調分流基準源。它的輸出電壓可用兩個(gè)電阻任意設置到Vref(2.5V)到36V范圍內。該器件的典型動(dòng)態(tài)阻抗為0.2Ω。用它來(lái)構成外部誤差放大器,再與光耦組成隔離式反饋電路。為了將連續變化的輸出迅速反饋,需采用線(xiàn)性光耦,如PC817。PC817不僅可以起到反饋作用,還可以起到隔離作用,當PC817二極管正向電流在3mA左右變化時(shí),三極管的集一射極電流在4mA左右變化,而集一射極電壓在很寬的范圍內線(xiàn)性變化,因而比較符合SG3525的控制要求。
當+5V輸出電壓升高時(shí),經(jīng)R27、R28分壓后得到的取樣電壓,就與TL43l中的2.5V帶隙基準電壓進(jìn)行比較,并在陰極上形成誤差電壓,使LED的工作電流發(fā)生變化,再通過(guò)光耦PC817去改變SG3525 1腳的電壓大小,從而改變9腳電流大小,最后調節,再通過(guò)光耦PC817使反饋電壓增大,SG3525的1腳輸入端電壓升高,經(jīng)SG3525內部電路后ll、14的輸出占空比減小,使+5V維持穩定。
2.4 輸出電路設計
在負載電流相同的條件下,全波和倍流整流電路中二極管的總通態(tài)損耗比全橋整流電路小一半,這就意味著(zhù)在輸出電壓相同,且其它損耗相當的情況下,全波和倍流整流電路的效率會(huì )較高。在低壓輸入電路中,二極管通態(tài)損耗占電路總損耗很大比例,通常在輸入電壓較低的情況下(小于100V)采用全波電路比較合適,因此本設計采用整流器件MBR20100,其管壓降小,可提高效率,二極管兩端采用RC吸收電路,抑制二極管的反向瞬態(tài)電壓,高頻電壓經(jīng)其整流后由濾波電容C13濾波,再經(jīng)磁珠L(cháng)1組成低通濾波器向負載輸出,C14可降低交流紋波。輸出電路設計如原理圖所示。

3 實(shí)驗波形和實(shí)驗數據
圖4是滿(mǎn)載時(shí)輸出波形,從圖中可以看出,滿(mǎn)載時(shí)+5V。輸出比較穩定且紋波比較小。圖5是直流輸入30V、滿(mǎn)載輸出時(shí)MOSFET漏一源極電壓波形(衰減lO倍后),可以看出此時(shí)占空比最大約為45%。

為了驗證該系統的穩定性,實(shí)驗中記錄了不同負載下的輸出電壓值和不同輸入下輸出電壓值如表1和表2所示。

從表1和表2可以看出,隨著(zhù)負載的加重,輸出電壓有小量的降低,隨著(zhù)輸入電壓的增加輸出電壓有小量的提升。但都基本維持在5V左右,負載調整率為(5.06~4.97)/4.97=1.8%,表明該系統較好地實(shí)現了穩壓。

4 結束語(yǔ)
本文介紹了基于控制集成芯片SG3525的推挽式DC―DC的系統結構設計方案,特別適用于低壓輸入的場(chǎng)合。整個(gè)系統所占用的PCB板面積很小,可直接做在單板系統上, 為絕大多數單板系統提供足夠的電能。經(jīng)實(shí)驗證明,它結構簡(jiǎn)單,性能可靠,成本低廉,而且重量輕、體積小,具有很大的實(shí)用潛力。

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