單結晶體管構成弛張振蕩電路

單結晶體管構成的弛張振蕩電路如圖2-55（a）所示。設電容器的初始電壓為0。接通電源后電源通過(guò)電阻R 向電容充電，單結晶體管內部的UA決定于電源電壓E（即Ubb）和器件的伏安特性，峰點(diǎn)與谷點(diǎn)也由此而確定。電容電壓UC依指數規律上升，在發(fā)射極電壓達到峰點(diǎn)之前，發(fā)射極電流很小，由于流過(guò)R1的電流很小，其兩端的電壓可以忽略。當電壓上升的峰點(diǎn)，UC=UP 時(shí)，單結晶體管進(jìn)入負阻區，內部的二極管導通，電容通過(guò)導通著(zhù)的二極管、R1放電，放電電流呈指數規律衰減，該電流經(jīng)過(guò)R1產(chǎn)生壓降。此時(shí)通過(guò)R1的電流由兩部分組成，其一是電容的放電電流，其二為電源通過(guò)電阻R 和導通著(zhù)的二極管供給R1的電流。當電容放電使發(fā)射極電流Ie到達谷點(diǎn)時(shí)，單結晶體管脫離負阻區，內部電阻Rb1的增大，使UA增高，內部二極管再度承受反壓，呈阻斷狀態(tài)，Ie消失，電路進(jìn)入下一次電
容充電階段。當電容電壓在一次達到峰點(diǎn)電壓時(shí)，出現又一次放電。電路中不斷重復充電和放電過(guò)程，形成振蕩，電容電壓在峰點(diǎn)電壓和谷點(diǎn)電壓之間變化，每一次放電都會(huì )在R1上產(chǎn)生一個(gè)電壓脈沖。電容電壓和R1上電壓的波形如圖2-55（b）所示。