F類(lèi)功率放大器漏極電壓研究
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為了更好地驗證上述理論，使用電磁仿真軟件，調整不同的負載網(wǎng)絡(luò )，實(shí)現K值分別為0．111、0．196和0．328的漏極電壓波形，結果如圖3所示。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/187070.htm
圖3是將一次諧波輸出電壓V1歸一化后得到的仿真結果，圖中標示的m1、m2、m3分別是歸一化后的漏極輸出各次諧波電壓峰值。從圖中可以看到，在3次諧波輸出電壓V3分別為0．111、0．196和0．328時(shí)，由漏極輸出1次和3次諧波合成的電壓Vd都V1。
其中，當K=0．111時(shí)，Vd的峰值是0．889，和理論上的K=0．111時(shí)Vpk=0．889V1一致，而且波形最平坦；當K=0．328接近理論分析中的0．4時(shí)，Vd=0．987接近V1，波形同樣趨向于方波?？梢钥闯?，所有的仿真結果和理論基本一致。
3 設計實(shí)例
采用Cree公司10 W的GaN HEMT CGH40010，Rogers公司的RT5870基板，基板材料Er=2．33，基板厚度為0．79 mm，基頻1 GHz，工作偏置點(diǎn)選為Vds=28V，Vgs=-2．5V。
在此次設計中，改變傳統的F類(lèi)功率放大器只考慮輸出諧波的控制，同時(shí)考慮輸入諧波控制網(wǎng)絡(luò )的設計。
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