晶振不起振的原因及其解決方法

原因分析：

在檢漏工序中，就是在酒精加壓的環(huán)境下，晶體容易產(chǎn)生碰殼現象，即振動(dòng)時(shí)芯片跟外殼容易相碰，從而晶體容易發(fā)生時(shí)振時(shí)不振或停振；

在壓封時(shí)，晶體內部要求抽真空充氮氣，如果發(fā)生壓封不良，即晶體的密封性不好時(shí)，在酒精加壓的條件下，其表現為漏氣，稱(chēng)之為雙漏，也會(huì )導致停振；

由于芯片本身的厚度很薄，當激勵功率過(guò)大時(shí)，會(huì )使內部石英芯片破損，導致停振；

有功負載會(huì )降低Q值（即品質(zhì)因素），從而使晶體的穩定性下降，容易受周邊有源組件影響，處于不穩定狀態(tài)，出現時(shí)振時(shí)不振現象；

由于晶體在剪腳和焊錫的時(shí)候容易產(chǎn)生機械應力和熱應力，而焊錫溫度過(guò)高和作用時(shí)間太長(cháng)都會(huì )影響到晶體，容易導致晶體處于臨界狀態(tài)，以至出現時(shí)振時(shí)不振現象，甚至停振；

在焊錫時(shí)，當錫絲透過(guò)線(xiàn)路板上小孔滲過(guò)，導致引腳跟外殼連接在一塊，或是晶體在制造過(guò)程中，基座上引腳的錫點(diǎn)和外殼相連接發(fā)生單漏，都會(huì )造成短路，從而引起停振；

當晶體頻率發(fā)生頻率漂移，且超出晶體頻率偏差范圍過(guò)多時(shí)，以至于捕捉不到晶體的中心頻率，從而導致芯片不起振。

處理方法：

嚴格按照技術(shù)要求的規定，對石英晶體組件進(jìn)行檢漏試驗以檢查其密封性，及時(shí)處理不良品并分析原因；

壓封工序是將調好的諧振件在氮氣保護中與外殼封裝起來(lái)，以穩定石英晶體諧振器的電氣性能。在此工序應保持送料倉、壓封倉和出料倉干凈，壓封倉要連續沖氮氣，并在壓封過(guò)程中注意焊頭磨損情況及模具位置，電壓、氣壓和氮氣流量是否正常，否則及時(shí)處理。其質(zhì)量標準為：無(wú)傷痕、毛刺、頂坑、彎腿，壓印對稱(chēng)不可歪斜。

由于石英晶體是被動(dòng)組件，它是由IC提供適當的激勵功率而正常工作的，因此，當激勵功率過(guò)低時(shí)，晶體不易起振，過(guò)高時(shí)，便形成過(guò)激勵，使石英芯片破損，引起停振。所以，應提供適當的激勵功率。另外，有功負載會(huì )消耗一定的功率，從而降低晶體Q值，從而使晶體的穩定性下降，容易受周邊有源組件影響，處于不穩定狀態(tài)，出現時(shí)振時(shí)不振現象，所以，外加有功負載時(shí)，應匹配一個(gè)比較合適有功負載。

控制好剪腳和焊錫工序，并保證基座絕緣性能和引腳質(zhì)量，引腳鍍層光亮均勻無(wú)麻面，無(wú)變形、裂痕、變色、劃傷、污跡及鍍層剝落。為了更好地防止單漏，可以在晶體下加一個(gè)絕緣墊片。

當晶體產(chǎn)生頻率漂移而且超出頻差范圍時(shí)，應檢查是否匹配了合適的負載電容，可以通過(guò)調節晶體的負載電容來(lái)解決。