一種新穎不帶電阻的基準電壓源電路設計

0 引 言
隨著(zhù)集成電路的發(fā)展，一個(gè)高穩定、高精度的基準電壓源變得越來(lái)越重要。特別是在D／A，A／D轉換以及PLL電路中，溫度穩定性和精度之間關(guān)系到整個(gè)電路的精確度和性能。
當今設計的基準電壓源大多數采用BJT帶隙基準電壓源結構，以及利用MOS晶體管的亞閾特性產(chǎn)生基準電壓源；然而，隨著(zhù)深亞微米CMOS工藝的發(fā)展，尺寸按比例不斷縮小，對芯片面積的挑戰越來(lái)越嚴重，雙極型晶體管以及高精度電阻所占用的面積則成為一個(gè)非常嚴重的問(wèn)題。
在此，提出一種通過(guò)兩個(gè)工作在飽和區的MOS管的柵源電壓差原理，產(chǎn)生一個(gè)與絕對溫度成正比(PTAT)的電流，利用這個(gè)電流與一個(gè)工作在飽和區的二極管連接的NMOS晶體管的閾值電壓進(jìn)行補償，得到了一個(gè)低溫漂、高精度的基準電壓源。

1 PTAT電流的產(chǎn)生
兩個(gè)工作在弱反型區的NMOS晶體管M1和M2的結構如圖1所示。
其輸出電壓V0可以表示為：

式中：UT=kT/q;k為波爾茲曼常數；△V表示實(shí)際中晶體管失配引入的誤差，是個(gè)常數，這里忽略它的影響。由此得到：

式中：是由溫度決定的倍增因子，后面將對其溫度特性進(jìn)行討論。