IR2110驅動(dòng)電路的優(yōu)化設計
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(1)過(guò)流保護電路 圖3中，二極管VD3，電阻R14、R16、R15，電容C6，MOS管VQ4組成過(guò)流反饋電路，與R11、R12及穩壓管VD2組成的參考電壓相比較；R8、R9、R10、C4與MOS管VQ3組成阻斷時(shí)間電路。當有信號輸入時(shí)(IGBT導通)，MSURE信號為低電平，VQ4截止，C極的電壓反饋到LM555的引腳6；當無(wú)信號輸入時(shí)(IGBT截止)，VQ4導通，則LM555引腳6的電壓為0 V。在IGBT導通期間，當VCE(C極相對于E極的電壓)超過(guò)一定值時(shí)，V6E(LM555的引腳6相對于E極的電壓)大于V5E(LM555的引腳5相對于E極的電壓)，LM555引腳7輸出為低電平，即OVC為低電平，啟動(dòng)過(guò)流保護，經(jīng)阻斷時(shí)間后恢復正常；否則，引腳7為門(mén)極開(kāi)路，電路工作正常。
(2)欠壓保護電路 該電路由圖3中的電阻R5、R6、R7，晶體管VQ2及穩壓管VD1組成。正常狀態(tài)下，晶體管VQ2導通，LM555的RESET信號(引腳4)不起作用；當給定電壓低到一定值時(shí)，LM555的引腳4為0 V，RESET信號起作用，使LM555處于復位狀態(tài)，引腳7即OVC為低電平，保護電路啟動(dòng)。
3．3 負偏壓電路
IR2110的另一不足是不能產(chǎn)生負偏壓。在大功率IGBT驅動(dòng)場(chǎng)合，各路驅動(dòng)電源獨立，集成驅動(dòng)器一般都能產(chǎn)生負壓，-5 V。用于增強IGBT關(guān)斷的可靠性，防止由于密勒效應而造成誤導通。IR2110器件內部雖不能產(chǎn)生負壓，但可通過(guò)外加無(wú)源器件產(chǎn)生負壓，如圖4所示。 本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/180982.htm
在上、下管驅動(dòng)電路中均增加由電容和5 V穩壓管組成的負壓電路。其工作原理為：電源電壓Vcc為20 V。在上電期間，電源通過(guò)R10為C11充電，C11保持5 V電壓。LIN為高電平時(shí)，LO相對COM輸出20 V的高電平，這時(shí)加在下管VG1的電壓為15 V，IGBT正常導通。當LIN輸入為低電平時(shí)，LO輸出O V，此時(shí)VG1的電壓為-5 V，實(shí)現關(guān)斷時(shí)負壓。同理，對于上管VG2，HIN輸入高電平時(shí)，HO輸出20 V，加在VG2的電壓為15 V。當HIN為低電平時(shí)，HO輸出0 V，VG2電壓為-5 V。選擇的C11，C12要大于IGBT柵極輸入寄生電容Ciss。自舉電容充電電路中的二極管VD4必須是快恢復二極管，以保證在有限時(shí)間內快速導通。
4 結論
通過(guò)對驅動(dòng)模塊IR2110的分析研究，在其驅動(dòng)電路簡(jiǎn)單、可獨立高端和低端輸出驅動(dòng)通道等基礎上，針對其一些不足。設計實(shí)用性較強的優(yōu)化驅動(dòng)電路，使該模塊在使用中能更有效地對IGBT進(jìn)行驅動(dòng)、控制和過(guò)流保護。
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