112W長(cháng)串LED boost驅動(dòng)器的全陶瓷電容方案

　　概述

　　本參考設計用于為長(cháng)串LED提供高壓boost電流源，長(cháng)串LED的應用不僅限于路燈和停車(chē)場(chǎng)照明。長(cháng)串LED允許采用高性?xún)r(jià)比的LED驅動(dòng)方案，另外，由于各個(gè)LED具有相同電流，可以很好地控制亮度變化。本設計采用24V輸入，可提供高達75V的LED驅動(dòng)輸出，可驅動(dòng)1.5A LED燈串(或多串并聯(lián))。測量到的輸入功率為115.49W，輸出功率為111.6W，具有96.6%的效率。

　　PCB

　　MAX16834 boost設計的印制電路板(PCB)采用通用的兩層板(圖1和圖3)。有些PCB功能要求為可選項，測試時(shí)并沒(méi)有組裝這些電路，原理圖(圖2)中將其標注為“no-pop”。電路板在IC下方布設接地島，通過(guò)單點(diǎn)連接至功率地，以確保低噪聲特性。由于很多路燈生產(chǎn)廠(chǎng)商沒(méi)有適當焊接設備焊接其它形式的封裝，例如TQFN封裝，因此本設計采用了TSSOP封裝IC。圖4給出本設計的材料清單。

　　拓撲

　　設計采用工作在200kHz連續模式的boost調節器。圖5所示表格給出了MOSFET和電感的RMS電流和峰值電流。連續模式設計能夠保持較小的MOSFET電流和電感電流。然而，由于MOSFET (Q1)導通期間電流流過(guò)輸出二極管(D2)，輸出二極管的反向恢復損耗較大，并可能導致更大的關(guān)斷噪聲。從圖6電路波形可以看出，占空比為69%時(shí)，MOSFET的導通時(shí)間大約為3.4µs，關(guān)斷時(shí)間大約為1.5µs。一旦MOSFET關(guān)斷，漏極電壓將上升到輸出電壓與肖特基二極管壓降之和。

　　MOSFET驅動(dòng)

　　由于采用連續模式設計，MOSFET和電感峰值電流低于工作在非連續模式下的數值。但是，由于在導通和關(guān)斷期間都有電流流過(guò)MOSFET，MOSFET在兩次轉換期間存在較大的開(kāi)關(guān)損耗。MAX16834以足夠強的驅動(dòng)能力使MOSFET在5ns內完全導通，在10ns內完全關(guān)斷(圖8和圖9)，保持較低的溫升。如果設計中存在EMI問(wèn)題，則改變MOSFET柵極的串聯(lián)電阻R5，以調整開(kāi)關(guān)時(shí)間。如果這一變化引起功耗過(guò)大，可以增加另一個(gè)MOSFET Q2，與Q1并聯(lián)，以降低溫升。

　　輸出電容

　　驅動(dòng)器的輸入和輸出電容可以采用陶瓷電容。陶瓷電容具有更小尺寸，工作更可靠，但容值有限，尤其是在設計中要求200V的額定電壓。圖5中，設計表格顯示驅動(dòng)器需要一個(gè)5.4µF電容以滿(mǎn)足輸出紋波電壓的要求;為降低成本和空間，本電路采用4個(gè)1.2µF電容(共4.8µF)。輸出電壓開(kāi)關(guān)紋波為2.88V (圖10和圖11)，紋波電流為182mA，是輸出電流的12%，略大于10%目標參數，但仍然能夠滿(mǎn)足要求。

　　調光

　　MAX16834提供很好的調光。當PWMDIM (第12引腳)為低電平時(shí)，將發(fā)生三個(gè)動(dòng)作：第一，開(kāi)關(guān)MOSFET Q1的柵極驅動(dòng)(NDRV，第15引腳)變?yōu)榈碗娖?，避免額外的能量傳送到LED串;第二，調光MOSFET Q4的柵極驅動(dòng)(DIMOUT，第20引腳)變?yōu)榈碗娖?，降低LED串電流并保持輸出電容電壓固定;最后，為保持補償電容處于穩態(tài)電壓，COMP (第5引腳)變?yōu)楦咦钁B(tài)，以確保IC在PWMDIM返回高電平時(shí)立即以正確的占空比啟動(dòng)。每個(gè)動(dòng)作都允許極短的PWM導通時(shí)間，因此可提供較高的調光比。

　　縮短導通時(shí)間主要受限于電感的充電時(shí)間，參見(jiàn)圖12和圖13，可以看到電流能夠很好地跟隨DIM脈沖。在電流脈沖的起始位置有衰減，主要是由于電感電流的爬升(大約12µs或2–3個(gè)開(kāi)關(guān)周期)。觀(guān)察波形，可以看出需要大約40µs至50µs的時(shí)間電壓才能完全恢復并建立。如果DIM導通脈沖小于50µs，輸出電壓將在下個(gè)關(guān)斷脈沖的起始處沒(méi)有足夠的時(shí)間。在提高DIM占空比之前，將一直持續這種現象。因此，滿(mǎn)載(1.5A)時(shí)，DIM導通脈沖不應低于50µs。這意味著(zhù)100Hz DIM頻率下，調光比為200:1。降低最小導通脈沖的唯一途徑是提高輸出電容，這將提高系統的成本，而且在通用照明中并不需要。如果降低LED電流，最小導通時(shí)間可隨之降低，調光比增大。陶瓷電容表現為壓電效應，調光期間會(huì )出現一定的音頻噪聲。不過(guò)，通過(guò)適當電路板布局，可以最大程度地降低噪聲。

　　OVP

　　圖14中，LED串開(kāi)路，MAX16834的過(guò)壓保護(OVP)電路在重新啟動(dòng)之前將首先關(guān)斷驅動(dòng)器400ms。因為輸出電容較小，電感儲能可能產(chǎn)生的過(guò)沖，因此采用了107V峰值電壓設置(高于83V設計值)。

　　電路調整及其它輸入、輸出

　　R15是線(xiàn)性數字電位器，可以在0A至1.7A之間任意調節LED電流。MAX16834具有一個(gè)輸入(SYNC)，用于同步控制器的開(kāi)關(guān)頻率。UVEN輸入允許外部控制驅動(dòng)器(通/斷)。REFIN輸入端的低阻信號源可以?xún)?yōu)先于電位器設置，控制驅動(dòng)器電流。例如，微控制器經(jīng)過(guò)緩沖的DAC可以通過(guò)REFIN直接控制LED電流。出現故障(例如OVP)時(shí)，FLT#輸出低電平。一旦解除故障，信號變?yōu)楦唠娖?，該信號并不閉鎖。

　　溫升

　　測量效率為96.63% (VIN = 24.01V、I_IN = 1.49A、PIN = 115.49W、VLED = 74.9V、I_LED = 1.49A、POUT = 111.60W)。由于電路的頻率較高，驅動(dòng)器元件并不發(fā)熱。溫度最高的元件為調光MOSFET Q4，溫升大約41°C。這一溫升是由于小尺寸PCB布局造成的，可以通過(guò)增大漏極附近的覆銅面積改善。電感尺寸較大，具有23°C的溫升，高于預期的7°C (圖15)。電感似乎吸收了部分MOSFET熱量，因為它們共用大面積覆銅焊盤(pán)。

　　溫度測量

　　以下溫度是在實(shí)際LED負載測試中得到的：

　　VIN:24VDC

　　Ambient:16°CΔT

　　L1:39°C23°C

　　D1:51°C35°C

　　Q1:51°C35°C

　　Q3:57°C41°C

　　IC:33°C17°C

　　上電步驟

　　在LED+和LED-之間連接最多20只串聯(lián)LED，同時(shí)串聯(lián)安培表以測量電流(注：如果LED的正向導通電壓完全匹配并且/或者增加串聯(lián)均衡電阻，可以采用并聯(lián)架構)。歡迎轉載，本文來(lái)自電子發(fā)燒友網(wǎng)(http://www.elecfans.com )

　　在VIN和GND之間連接24V、6A電源。

　　在連接器J2插入短路器。

　　打開(kāi)24V電源。

　　調節R15將電流設置為0至1.5A。

　　如果需要調光，則在DIM IN和GND之間連接PWM信號(0V至3.3V)。

　　按照上述內容調節PWM占空比，實(shí)現調光。