頻率可自動(dòng)調節的高線(xiàn)性度低通濾波器設計
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時(shí)間：2011-03-11
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
為了提高線(xiàn)性度， 本文采用改進(jìn)型R-MOS結構， 圖2所示是其原理圖。這種結構的優(yōu)點(diǎn)是電阻和MOS管之間的分壓作用可使MOS管兩端的電壓變小， 從而改善圖1中的線(xiàn)性度。在這種結構中， 處于線(xiàn)性區的MOS管更像一個(gè)電流舵器件而不是一個(gè)電阻器件。它的等效電阻如下：
圖2 改進(jìn)型R-MOS可變電阻原理圖
式中， 
是M1、M2、M3、M4的平均跨導， VCM是由自動(dòng)調節電路確定的控制共模電壓。其計算公式如下：
2.1 基于反饋的線(xiàn)性度提高技術(shù)
濾波器是由積分器實(shí)現的。當積分器有兩個(gè)輸入時(shí)， 通常會(huì )形成反饋。圖3所示是應用線(xiàn)性度提高技術(shù)的一階濾波器結構。該結構把由MOS和運放組成的積分器看成一個(gè)整體， 它的環(huán)路增益為
， 這個(gè)增益在低頻時(shí)和運放的直流增益相等， 故其整體傳輸函數如下：
圖3 R-MOS-C一階濾波器結構圖
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