不對稱(chēng)半橋同步整流DC/DC變換器
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因此，總的導通損耗PCON為
PCON=PSR1CON＋PSR2CON=Io2Rdson1(1－D－tz/T)＋Io2Rdson2(D－ty/T)（4）
假設所有寄生電容為線(xiàn)性，整流管SR1的開(kāi)關(guān)損耗為
PSR1SW=PSR1Ced＋PSR1Cgs＋PSR1Cds（5）
PSR1Cgs=fCgs(2VinD/n)2（6）
式中：Vin為輸入電壓；
f為開(kāi)關(guān)頻率；
n=1/n1=1/n2為初級與次級的匝數比。
PSR1Cds=fCds[2Vin(1－D)/n]2（7）
PSR1Cgd=fCgdp(2VinD/n)2＋fCgdn[2Vin(1－D)/n]2（8）
同樣地，SR2的開(kāi)關(guān)損耗為
PSR2SW=PSR2Cgs＋PSR2Cgd＋PSR2Cds（9）
PSR2Cgs=fCgs[2Vin(1－D)/n]2（10）
PSR2Cds=fCds(2VinD/n)2（11）
PSR2Cgd=fCgdp[2Vin(1－D)/n]2＋fCgdn(2VinD/n)2（12）
式中：Cgdp為vgd>0時(shí)的Cgd；
Cgdn為vgd0時(shí)的Cgd。
PSW=PSR1SW＋PSR2SW=4fVin2CTOT(2D2－2D＋1)/n2（13）
式中：CTOT=Cgs＋Cds＋Cgdp＋Cgdn為所有寄生電容之和。
3.3 同步整流管體二極管的導通損耗
兩個(gè)體二極管的導通損耗PDCON為
PDCON=PD3CON＋PD4CON=(ty＋tz)IoVD/T(14)
式中：VD為體二極管的通態(tài)電壓。
將式（4），式（13），式（14）相加就是圖3(a)中變換器總的整流損耗PLOSS。通過(guò)以上分析，可以看出變換器的整流損耗與以下參數有關(guān)，即輸出電流Io；輸入電壓Vin；開(kāi)關(guān)頻率f；漏感Lr；MOSFET自身參數值。在這些影響因素中，漏感Lr的選擇至關(guān)重要。顯然，Lr越大，損耗越大，因此，為了提高效率，Lr應盡可能小。但是，同時(shí)又要保證Lr足夠大，以實(shí)現主開(kāi)關(guān)管的ZVS，所以，在選擇Lr的值時(shí)，要綜合考慮兩方面的影響，使變換器的性能最優(yōu)。
4 結語(yǔ)
不對稱(chēng)半橋DC/DC變換器是一種能實(shí)現軟開(kāi)關(guān)的變換器，與其它拓撲相比，具有很多優(yōu)點(diǎn)。本文對同步整流技術(shù)在不對稱(chēng)半橋變換器中的應用，從電路工作原理到同步整流驅動(dòng)方式的選擇作了全面的介紹，并在此基礎上，分析了變換器的整流損耗，使對影響整流損耗的參數有了全面的認識。
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