利用計算機設計單片開(kāi)關(guān)電源講座
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（3）TOPSwitch關(guān)斷且次級電路處于導通狀態(tài)時(shí)，
次級電壓會(huì )感應到初級。感應電壓UOR與UI相疊加后，加至內部功率開(kāi)關(guān)管（MOSFET）的漏極上。此時(shí)初級漏感釋放能量，并在漏極上產(chǎn)生尖峰電壓UL。由于上述不利情況同時(shí)出現，極易損壞芯片，因此需給初級增加鉗位保護電路。利用TVS器件來(lái)吸收尖峰電壓的瞬間能量，使上述三種電壓之和不超過(guò)漏－源擊穿電壓U（BR）DS值。
表4確定UOR、UB值
| U（V） | UOR(V) | UB(V) |
|---|---|---|
| 固定輸入：100/115 | 60 | 90 |
| 通用輸入：85～265 | 135 | 200 |
| 固定輸入：230±15％ | 135 | 200 |
[步驟5]根據UImin和UOR來(lái)確定最大占空比Dmax
Dmax的計算公式為：
Dmax=×100％（1）
（1）MOSFET的通態(tài)漏－源電壓UDS（ON）=10V。
（2）應在U=Umin時(shí)確定Dmax。
若將UOR=135V、UImin=90V、UDS(ON)=10V一并代入式（1），可計算出Dmax=64.3％，這與典型值67％非常接近。Dmax隨著(zhù)U的升高而減小，例如當U=Umax=265V時(shí)，Dmax=34.6％。
[步驟6]確定初級脈動(dòng)電流IR與初級峰值電流IP的比值KRP
定義比例系數
KRP=IR/IP(2)
（1）當U確定之后，KRP有一定的取值范圍。在110V／
115V或寬范圍電壓輸入時(shí)，可選KRP=0.4，當230V輸入時(shí)，取KRP=0.6。
（2）在整個(gè)迭代過(guò)程中，可適當增大KRP的值，但不得超過(guò)表5中規定的最大值。
表5確定KRP
| U（V） | KRP | |
|---|---|---|
| 最小值（連續模式） | 最大值（不連續模式） | |
| 固定輸入：100/115 | 0.4 | 1.0 |
| 通用輸入：85～265 | 0.4 | 1.0 |
| 固定輸入：230±15％ | 0.6 | 1.0 |
計算下列參數（電流單位均取A）：
（1）輸入電流的平均值IAVG
IAVG=（3）
（2）初級峰值電流IP
IP=（4）
（3）初級脈動(dòng)電流IR〔可由式（2）求得〕
（4）初級有效值電流IRMS
IRMS=IP（5）
[步驟8]根據電子數據表格和所需IP值，選擇TOPSwitch芯片
（1）所選極限電流最小值ILIMIT(min)應滿(mǎn)足
0.9ILIMIT(min)≥IP（6）
（2）若芯片散熱不良，則選功率稍大些的芯片。
[步驟9和步驟10]計算芯片的結溫Tj
（1）計算結溫Tj
Tj=〔IRMS2×RDS(ON)＋CXT(UImax＋UOR)2f〕·
RθA＋25℃（7）
式中：CXT是漏極結點(diǎn)的等效電容。括號內第二項代表當交流輸入電壓較高時(shí)，由于CXT不斷被充放電而引起的開(kāi)關(guān)損耗，可用PCXT表示。
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