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高頻開(kāi)關(guān)電源設計中的電磁兼容性問(wèn)題研究

作者: 時(shí)間:2011-04-14 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏

3.2 輻射EMI的抑制措施

要降低輻射干擾,可應用電壓緩沖電路,如在開(kāi)關(guān)管兩端并聯(lián)RCD緩沖電路,或電流緩沖電路,如在開(kāi)關(guān)管的集電極上串聯(lián)20~80μH的電感。

功率開(kāi)關(guān)管的集電極是一個(gè)強騷擾源,開(kāi)關(guān)管的散熱片應接到集電極上,以確保集電極與散熱片之間由于分布電容而產(chǎn)生的電流流入主電路中。為減少散熱片和機殼之間的分布電容,散熱片應盡量遠離機殼,如有條件的話(huà),可采用有屏蔽措施的散熱片。整流二極管應采用恢復電荷小,且反向恢復時(shí)間短的,如肖特基管,最好是選用反向恢復呈軟特性的。另外,在肖特基管兩端套磁珠和并聯(lián)RC吸收網(wǎng)絡(luò )均可減少干擾,電阻、電容的取值可為幾Ω和數千pF,電容引線(xiàn)應盡可能短,以減少引線(xiàn)電感。

負載電流越大,二極管反向恢復的時(shí)間也越長(cháng),則尖峰電流的影響也越大。采用多個(gè)二極管并聯(lián)來(lái)分擔,可以降低短路尖峰電流的影響。

必須屏蔽,采用模塊式全密封結構,一般用1mm以上厚度的鍍鋅鋼板,屏蔽層必須良好接地。在脈沖變壓器初、次級之間加一屏蔽層并接地,可以抑制干擾的電場(chǎng)耦合。將脈沖變壓器、輸出濾波電感等磁性元件加上屏蔽罩,可以將磁力線(xiàn)限制在磁阻小的屏蔽體內。

例如,對輻射干擾超過(guò)標準限值20dB的某,采用了如下一些在實(shí)驗室容易實(shí)現的措施進(jìn)行了改進(jìn):

1)在所有整流二極管兩端并聯(lián)470pF電容;

2)在開(kāi)關(guān)管G極的輸入端并聯(lián)50pF電容,與原有的39Ω電阻形成一RC低通濾波器;

3)在各輸出濾波電容(電解電容)上并聯(lián)0.01μF電容;

4)在整流二極管管腳上套一小磁珠;

5)改善屏蔽體的接地。

經(jīng)過(guò)上述改進(jìn)后,該電源就可以通過(guò)輻射干擾測試的限值要求。

3.3 傳導騷擾的解決方法

的傳導騷擾通過(guò)輸入電源線(xiàn)向外傳播,既有差模騷擾、又有共模騷擾。傳導騷擾的測試頻率范圍為0.15~30MHz,限值要求如表1所列。

表1 傳導騷擾限值表

電源端口頻率范圍/MHz準峰值dB/μV平均值dB/μV
A級0.15~0.57966
0.5~307360
B級0.15~0.56656
0.5~55646
5~306050

在0.15~1MHz的頻率范圍內,騷擾主要以共模的形式存在,在1~10MHz的頻率范圍內,騷擾的形式是差模和共模共存,在10MHz以上,騷擾的形式主要以共膜為主。差模騷擾的產(chǎn)生主要是由于開(kāi)關(guān)管工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài),當開(kāi)關(guān)管開(kāi)通時(shí),流過(guò)電源線(xiàn)的電流線(xiàn)性上升,開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí)電流突變?yōu)榱?,因此,流過(guò)電源線(xiàn)的電流為的三角脈動(dòng)電流,含有豐富的高頻諧波分量,隨著(zhù)頻率的升高,該諧波分量的幅度越來(lái)越小,因此差模騷擾隨頻率的升高而降低,輸出回路的濾波電路如圖8所示,電容C5與電感L3組成低通濾波器,差模傳導騷擾主要存在低頻率段。

圖8 輸出回路的濾波電路

產(chǎn)生共模騷擾的主要原因是電源與大地(保護地)之間存在分布電容,電路中方波電壓的高頻諧波分量通過(guò)分布電容傳入大地,與電源線(xiàn)構成回路,產(chǎn)生共模騷擾。如圖8所示,L、N為電源輸入,C1、C2、C3、C4、C5、L1、L2組成輸入EMI濾波器,DB1為整流橋,VT2為開(kāi)關(guān)管,開(kāi)關(guān)管安裝在散熱器上時(shí),開(kāi)關(guān)管的D極與散熱器相連,與散熱器之間形成一個(gè)耦合電容,如圖8中的C7所示,VT2工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài),其D極的電壓為高頻方波,方波的頻率為開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)頻率,方波中的各次諧波就會(huì )通過(guò)耦合電容、L、N電源線(xiàn)構成回路,產(chǎn)生共模騷擾。電源與大地的分布電容比較分散,難以估算,但從圖8來(lái)看,VT2的D極與散熱器之間耦合電容的作用最大,從DB1到電感L3之間的電壓為100Hz,而從L3到VD1和VT2的D極之間的連線(xiàn)的電壓均為方波電壓,含有大量的高次諧波。其次L3的影響也比較大,但L3與機殼的距離比較遠,分布電容比開(kāi)關(guān)管和散熱器之間的耦合電容小得多,因此,我們主要考慮開(kāi)關(guān)管與散熱器之間的耦合電容。

3.4 接地技術(shù)的應用

“接地”有設備內部的信號接地和設備接大地,兩者概念不同,目的也不同。“地”的經(jīng)典定義是“作為電路或系統基準的等電位點(diǎn)或平面”。

3.4.1 設備的信號接地

設備的信號接地,可能是以設備中的一點(diǎn)或一塊金屬來(lái)作為信號的接地參考點(diǎn),它為設備中的所有信號提供了一個(gè)公共參考電位。在這里介紹浮地和混合接地,另外,還有單點(diǎn)接地和多點(diǎn)接地。

1)浮地采用浮地的目的是將電路或設備與公共接地系統,或可能引起環(huán)流的公共導線(xiàn)隔離開(kāi)來(lái)。浮地還可以使不同電位間的電路配合變得容易。實(shí)現電路或設備浮地的方法有變壓器隔離和光電隔離。浮地的最大優(yōu)點(diǎn)是抗干擾性能好。浮地的缺點(diǎn)是由于不與公共地相連,容易在兩者間造成靜電積累,當電荷積累到一定程度后,可能引起劇烈的靜電放電,而成為破環(huán)性很強的騷擾源。一個(gè)折衷方案是在浮地與公共地之間跨接一個(gè)阻值很大的泄放電阻,用以釋放所積累的電荷。注意控制釋放電阻的阻抗,太低的阻抗會(huì )影響設備泄漏電流的合格性。

2)混合接地混合接地使接地系統在低頻和高頻時(shí)呈現不同的特性,這在寬帶敏感電路中是必要的。電容對低頻和直流有較高的阻抗,因此能夠避免兩模塊之間的地環(huán)路形成。當將直流地和射頻地分開(kāi)時(shí),將每個(gè)子系統的直流地通過(guò)10~100nF的電容器接到射頻地上,這兩種地應在一點(diǎn)有低阻抗連接起來(lái),連接點(diǎn)應選在最高翻轉速度di/dt信號存在的點(diǎn)。

3.4.2 設備接大地

在工程實(shí)踐中,除認真考慮設備內部的信號接地外,通常還將設備的信號地,機殼與大地連在一起,以大地作為設備的接地參考點(diǎn)。設備接大地的目的是:

1)保證設備操作人員人身的安全;

2)泄放機箱上所積累的電荷,避免電荷積累使機箱電位升高,造成電路工作的不穩定;

3)避免設備在外界電磁環(huán)境的作用下使設備對大地的電位發(fā)生變化,造成設備工作的不穩定。

由此可見(jiàn),設備接大地除了是對人員安全、設備安全的考慮外,也是抑制騷擾發(fā)生的重要手段。



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