雙H橋雙峰雙向脈沖電鍍電源設計與仿真
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時(shí)間：2011-05-03
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
由于Vg1和Vg4同時(shí)導通，uAP=0。變壓器次級側二極管同時(shí)導通，導致變壓器初、次級繞組電壓均為零。因為漏感較小，而阻斷電容較大，可以認為在這個(gè)開(kāi)關(guān)模式中，阻斷電容電壓基本不變，初級側電流基本是線(xiàn)性減小，即
在t2時(shí)刻，初級側電流下降到零，該開(kāi)關(guān)模式的持續時(shí)間為
4)開(kāi)關(guān)模式3(t2，t3)由于二極管VD4阻斷了ip的反向路徑，初級側電流恒為零。此段時(shí)間為VD4和Vg4恢復時(shí)間。
5)開(kāi)關(guān)模式4(t3，t4)在t3時(shí)刻，關(guān)斷Vg4，此時(shí)Vg4中并沒(méi)有電流流過(guò)，因此Vg4是零電流關(guān)斷。在很小的延時(shí)后，開(kāi)通Vg2，由于漏感的存在，初級側電流不能突變，Vg2是零電流開(kāi)通。由于初級側電流不足以提供負載電流，次級側整流管依然同時(shí)導通。變壓器的初、次級繞組被鉗位在零電壓。此時(shí)加在漏感兩端的電壓為-(Uin+UCbp)，初級側電流從零開(kāi)始反方向線(xiàn)性增加。即
在t4時(shí)刻，初級側電流反方向增加到負載電流。該開(kāi)關(guān)模式的持續時(shí)間為
6)開(kāi)關(guān)模式5(t4，t5)從t4時(shí)刻開(kāi)始，原邊給負載提供能量，同時(shí)給阻斷電容反向充電。阻斷電容上的電壓為下一次Vg2零電流關(guān)斷和Vg4零電流開(kāi)通做準備。在t5時(shí)刻，關(guān)斷Vg3，開(kāi)始另一個(gè)半周期(t5～t10)，其工作情況類(lèi)似于前面描述的(t0～t5)。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/179155.htm
3 技術(shù)指標
輸入電壓幅值Uin=300 V；次級輸出電壓Uo=24 V；開(kāi)關(guān)管工作頻率f=20 kHz；額定輸出電流Io=20 A；輸出脈沖的頻率fs=100 Hz；脈沖開(kāi)通占空比：17％(即PSIM軟件中對應)；脈沖關(guān)斷占空比：8％(即PSIM軟件中對應)。
4 電路元件參數設計
1)開(kāi)關(guān)管的選擇
超前橋臂承受的最大電壓為最大的直流輸入電壓Uinmax=300x(1+10％)=330 V，由于本設計中開(kāi)關(guān)管工作在軟開(kāi)關(guān)狀態(tài)，滯后橋臂承受的最大電壓應力為Uinmax+UCbp=1．2Uinmax=396 V。
由于全橋移向變換器開(kāi)關(guān)管工作在軟開(kāi)關(guān)狀態(tài)，功率開(kāi)關(guān)管的額定電壓可降低一些，可選用500 V。
輸出濾波電感電流的最大平均值為
加2倍裕度為6．72A。
通過(guò)綜合考慮，本設計選用IR公司HEXFET系列的功率MOSFET管IRFP450LC，VDSS=500 V，RDS(on)=0．4 Ω，ID=14 A，td(off)=30ns，tf=30 ns。
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