一種新型的電流模式曲率補償帶隙基準源
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通過(guò)改變RREF的阻值，可以得到數值在VDSsat(M9)和VDD-|VDSsat(M3)|之間的任何電壓值。晶體管M1～M4工作在飽和區，當漏端電流減小時(shí)，它們的源漏電壓可以很小。所以，該帶隙電路的VDD理論上可以降至Veb(典型情況為0．7 V)。上述電路中，電流鏡被充分使用，不但用于產(chǎn)生參考電流，管Q2的偏置電流，還用于偏置運放。為了最大限度地減小電流鏡的失配，管子的長(cháng)度應取足夠長(cháng)，并且輸出電壓取值宜在0．6 V左右。Ms1～Ms5構成了啟動(dòng)電路，以避免電路工作在零電流狀態(tài)。Ms2的寬長(cháng)比應小于1，確保電路啟動(dòng)后Ms3～Ms5是完全關(guān)斷的。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/179146.htm
3 仿真驗證
采用標準0．18μm CMOS工藝進(jìn)行設計驗證，HSpice仿真結果表明，該電路能在1～2．1 V的電源電壓范圍內正常工作，并得到0．9 mV／V的電源調整率。圖4為電源電壓在0～2．1 V變化范圍內，溫度300 K時(shí)參考電壓的輸出波形。圖5顯示了輸出參考電壓VREF的溫度特性，在-55～+125℃的溫度范圍內，該電路平均輸出電壓為623 mV，溫度系數達到4．2 ppm／℃。
4 結語(yǔ)
本文提出了一種新穎的曲率補償帶隙基準結構。通過(guò)3個(gè)具有不同溫度依賴(lài)性質(zhì)的電流的適當疊加，從而產(chǎn)生一個(gè)具有極低溫度系數的參考電壓。仿真結果表明，該電路在1 V電源電壓下仍能正常工作。并且，在-55～+125℃的溫度范圍內，其溫度系數僅為4．2 ppm／℃。
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