基于TOPSwitchⅡ的開(kāi)關(guān)電源設計
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
脈寬調制器 流入控制極的電流在RE 兩端產(chǎn)生的壓降,經(jīng)RC 電路濾波后,加到PWM 比較器的同相輸入端,與振蕩器輸出的鋸齒波電壓比較,產(chǎn)生脈寬調制信號。該信號驅動(dòng)輸出MOSFET 實(shí)現電壓型控制。正常工作時(shí),內部MOSFET 輸出脈沖的占空比隨著(zhù)控制極電流的增加而線(xiàn)性減少,如圖2 所示。
柵極驅動(dòng)器 柵極驅動(dòng)器以一定速率使輸出MOSFET 導通。為了提高精確度,柵極驅動(dòng)電流還可以進(jìn)行微調逐周限流。逐周限流電路用輸出MOSFET 的導通電阻作為取樣電阻,限流比較器將MOSFET 導通時(shí)的漏源電壓與閾值電壓V I L IMIT進(jìn)行比較。漏極電流過(guò)大時(shí),漏源電壓超過(guò)閾值電壓,輸出MOSFET 關(guān)斷,直到下一個(gè)周期,輸出MOSFET 才能導通。
誤差放大器 誤差放大器的電壓基準取自溫度補償帶隙基準電壓;誤差放大器的增益則由控制極的動(dòng)態(tài)阻抗設定。
系統關(guān)閉/ 自動(dòng)重動(dòng) 為了減少功耗,當超過(guò)調整狀態(tài)時(shí),該電路將以5 %的占空比接通和關(guān)斷電源。
過(guò)熱保護 當結溫超過(guò)熱關(guān)斷溫度(135 ℃) 時(shí),模擬電路將關(guān)斷輸出MOSFET。
高壓偏流源 在啟動(dòng)期間, 該電流源從漏極偏置TOPSwitch Ⅱ,并對控制極外接電容CT 充電。
在TOPSwitch Ⅱ系列中, TOP225 ～ TOP227 采用TOˉ220封裝形式,而TOP221～ TOP224 則有TOˉ220和DIPˉ8 ,SMDˉ8 三種封裝形式,如圖3 所示?？紤]到DIPˉ8 和SMDˉ8 的散熱情況,采用這2 種封裝形式的器件輸出功率要適當降低。
TOPSwitch Ⅱ應用于反激式功率變換電路
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