基于UC3844的反激開(kāi)關(guān)電源設計

　　圖2中MOSFET功率開(kāi)關(guān)管的源極所接的R12是電流取樣電阻，變壓器原邊電感電流流經(jīng)該電阻產(chǎn)生的電壓經(jīng)濾波后送入UC3844的腳3，構成電流控制閉環(huán)。當腳3電壓超過(guò)1V時(shí)，PWM鎖存器將封鎖脈沖，對電路啟動(dòng)過(guò)流保護功能；UC3844的腳8與腳4間電阻R16及腳4的接地電容C19決定了芯片內部的振蕩頻率，由于UC3844內部有個(gè)分頻器，所以驅動(dòng)MOSFET功率開(kāi)關(guān)管的方波頻率為芯片內部振蕩頻率的一半；圖3中變壓器原邊并聯(lián)的RCD緩沖電路是用于限制高頻變壓器漏感造成的尖峰電壓。變壓器副邊整流二極管并聯(lián)的RC回路是為了減小二極管反向恢復期間引起的尖峰。MOSFET功率管旁邊的RCD緩沖電路是為了防止MOSFET功率管在關(guān)斷過(guò)程中承受大反壓。緩沖電路的二極管一般選擇快速恢復二極管，而變壓器二次側的整流二極管一般選擇反向恢復電壓較高的超快恢復二極管。

　　電路的反饋穩壓原理：（輸出電壓反饋電路如圖4所示），當輸出電壓升高時(shí)，經(jīng)兩電阻尺R6、R7分壓后接到TL431的參考輸入端（誤差放大器的反向輸入端）的電壓升高，與TL431內部的基準參考電壓2.5 V作比較，使得TL431陰陽(yáng)極間電壓Vka降低，進(jìn)而光耦二極管的電流If變大，于是光耦集射極動(dòng)態(tài)電阻變小，集射極間電壓變低，也即UC3844的腳1的電平變低，經(jīng)過(guò)內部電流檢測比較器與電流采樣電壓進(jìn)行比較后輸出變高，PWM鎖存器復位，或非門(mén)輸出變低，于是關(guān)斷開(kāi)關(guān)管，使得脈沖變窄，縮短MOSFET功率管的導通時(shí)間，于是傳輸到次級線(xiàn)圈和自饋線(xiàn)圈的能量減小，使輸出電壓Vo降低。反之亦然，總的效果是令輸出電壓保持恒定，不受電網(wǎng)電壓或負載變化的影響，達到了實(shí)現輸出閉環(huán)控制的目的。

　　3 電源的若干參數設計

　　3.1 變壓器原邊電感設計

　　3.1.1 MOSFET開(kāi)關(guān)管工作的最大占空比Dmax

　　式中：Vor為副邊折射到原邊的反射電壓，當輸入

　　為AC 220V時(shí)反射電壓為135V；

　　VminDC為整流后的最低直流電壓；

　　VDS為MOSFET功率管導通時(shí)D與S極間電壓，一般取10V。

　　3.1.2 變壓器原邊繞組電流峰值IPK

　　變壓器原邊繞組電流峰值IPK為：

　　式中：η為變壓器的轉換效率；

　　Po為輸出額定功率，單位為W。

　　3.1.3 變壓器原邊電感量LP

　　式中：Ts為開(kāi)關(guān)管的周期（s）；

　　LP單位為H。