一種高電源抑制的基準源的設計
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時(shí)間：2011-08-03
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
2 仿真與分析
本次設計的仿真基于A(yíng)SMC的1 μm的高壓BCD工藝。
2．1 啟動(dòng)仿真
圖4是工藝角為tt，t=27℃時(shí)的啟動(dòng)仿真，此基準需要3 μs就可建立正常狀態(tài)，這是由于基準核心中的Cc1選取為比較小的2 pF的結果，這樣做的另一個(gè)結果就是中頻PSR有所降低，實(shí)際電路可根據需要選取Cc1的大小，如果需要中頻PSR較大，但對啟動(dòng)時(shí)間要求較低時(shí)，可以選取大Cc1(如Cc1選取10pF，則最高PSR將降為-28dB，但啟動(dòng)時(shí)間升至10μs)。LDO、ref、bg的啟動(dòng)過(guò)程比較平穩，沒(méi)有過(guò)沖現象。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/178795.htm
MBC控制作用的簡(jiǎn)述：在1μs時(shí)流過(guò)100μA的啟動(dòng)電流，當LDO、ref、bg建立最低工作電壓后，啟動(dòng)電路開(kāi)始關(guān)斷過(guò)程，電流急劇減小，并最終在2μs時(shí)接近0A。整個(gè)電路正常運行時(shí)消耗的電流是266μA。
2．2 溫漂仿真
圖5為不同工藝角下的溫漂仿真。仿真結果表明，此電路可以達到ref-45 ppm、bg-7．5 ppm的低溫漂。實(shí)際電路存在器件的不匹配和誤差等，雖然達不到理論上的溫漂，但通過(guò)仔細布版、修調帶隙核心電路中Rc1、Rc2，可以達到較低的溫漂。
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