IR全新MOSFET具備快速本體二極管特性有效增強零電壓開(kāi)關(guān)操作

最新L系列HEXFET MOSFET由于具備快速本體二極管特性，因此無(wú)需在ZVS電路中添置額外肖特基及高壓二極管，減少了元件數目，節省了電路空間。

新器件有別于采用硬開(kāi)關(guān)器件的橋式或功率因數修正電路，其內置本體二極管常處于活躍狀態(tài)，并可承載工作周期中部分電流，加強了系統可靠性。當內置本體二極管處于通態(tài)時(shí)啟動(dòng)MOSFET，實(shí)質(zhì)上便可消除ZVS電源設計導通損耗。

IR中國及香港銷(xiāo)售總監嚴國富先生表示："IR全新L系列MOSFET能大大降低開(kāi)關(guān)及整體損耗，可用來(lái)設計在更高頻率下工作的電源，減小被動(dòng)元件尺寸并增加功率密度。"

L系列器件內的本體二極管之最大逆向恢復時(shí)間少于250ns，在電流更低的器件中時(shí)間更短。較短的逆向恢復周期確保內置本體二極管可在工作關(guān)斷過(guò)程中發(fā)揮效益，在引入高壓前從導通狀態(tài)徹底恢復至阻斷狀態(tài)。

嚴國富先生又稱(chēng)："大部分情況下，全新L系列MOSFET均提供更高的雪崩額定值以及經(jīng)改良的柵-源電荷及柵-漏電荷比，既可降低擊穿情況，亦能簡(jiǎn)化驅動(dòng)電路。"

這些具有快速本體二極管的全新600V HEXFET功率MOSFET現已投入供應。數據表詳載于IR網(wǎng)站www.irf.com。