基于PC40EE25的開(kāi)關(guān)隔離電源設計
引言
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/178584.htm 根據《太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統研制技術(shù)協(xié)議》的規定, 接入太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統的電池陣列在最強光照的情況下的開(kāi)路電壓將不能超過(guò)750 V,最低不低于120 V。本文介紹的開(kāi)關(guān)電源就是在120~750 V的輸入電壓范圍內能穩定地輸出, 從而使太陽(yáng)能光伏并網(wǎng)發(fā)電系統能在協(xié)議規定的輸入范圍內穩定地為低壓控制器、IGBT驅動(dòng)器以及LCD供電, 并使系統可靠地工作。
1 電路拓撲
本設計的電路拓撲結構如圖1所示, 圖中,當VT1和VT2同時(shí)導通時(shí), DC電源和變壓器初級組成回路, 變壓器初級的電流上升, 變壓器的磁通密度從初始的剩余磁通Br上升到峰值Bw, 并將能量存儲在變壓器中, 這時(shí), 由于次級的二極管VD3的截止作用, 使得變壓器不能向次級傳送能量; 而當VT1和VT2同時(shí)關(guān)斷的時(shí)候, 由于反激的作用, 變壓器初級的電壓反向, 鉗位二極管VD1和VD2導通, 以把原邊繞組的反激電壓和開(kāi)關(guān)管上的電壓鉗制在電源電壓Vdc。此時(shí), 存儲在變壓器的能量一部分向副邊傳遞, 另一部分通過(guò)鉗位二極管返回給電容C1和C2。因而在反激時(shí)間內, 變壓器的磁通密度從峰值Bw下降到剩余磁通Br。經(jīng)過(guò)一段時(shí)間, VT1和VT2又同時(shí)開(kāi)通,以進(jìn)入下一個(gè)周期。整個(gè)電路通過(guò)連續地開(kāi)關(guān)VT1和VT2, 就可以得到穩定的直流輸出。
圖1 雙管反激式拓撲結構
由于實(shí)際電路的分布參數以及開(kāi)關(guān)管VT1和VT2的屬性并非完全相同, 所以, VT1和VT2不是完全同時(shí)開(kāi)關(guān)。當VT1先關(guān)斷時(shí), 變壓器初級T1、VT2和VD2組成回路續流, 而當VT2關(guān)斷時(shí),變壓器儲存的能量將向次級傳送; 同理, 當VT2先關(guān)斷, 變壓器初級T1、VT1和VD1將組成回路續流, 并當VT1關(guān)斷時(shí), 變壓器存儲的能量向次級傳送。
與一般采用單管加控制芯片的開(kāi)關(guān)電源不同的是, 本設計采用了上下兩個(gè)MOSFET, 這樣做的目的一是可以降低每個(gè)開(kāi)關(guān)管上承受的電壓,二是兩個(gè)開(kāi)關(guān)管不需要采用兩個(gè)控制芯片來(lái)控制, 而只用一個(gè)PWM波就可以實(shí)現兩個(gè)開(kāi)關(guān)管的同時(shí)開(kāi)通和關(guān)斷。
圖2所示是本設計的主電路圖, 圖中, D1和D2主要防止由于反激電壓串入DC電源引起DC電壓波動(dòng), R1和R2取值相同, C1和C2的容值屬性均相同, 這樣一方面可以平衡C1和C2上的電壓,另一方面可以降低C1的C2的耐壓。VT1和VT2共用一個(gè)驅動(dòng)信號, 故可實(shí)現同時(shí)開(kāi)通和關(guān)斷。R3為采樣電阻, 該主電路采用的是峰值電流控制模式。VT4的作用主要是外加保護。輔助繞組的設計主要是為控制電路供電。次級整流二極管后加π型濾波器的效果要比只用電容濾波更好, R4為假負載, 主要是防止開(kāi)關(guān)電源的空載。R5, R6,tl431, pc817和R7共同組成反饋電路。
圖2 主電路圖
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