TOP246-TOP249系列單片開(kāi)關(guān)電源應用

精密光耦反饋電路由IC2、IC3等組成。輸出電壓UO通過(guò)電阻分壓器R4～R6獲得取樣電壓，與TL431中的2.50V基準電壓進(jìn)行比較后產(chǎn)生誤差電壓，再經(jīng)過(guò)光耦去改變TOP249Y的控制端電流IC，使占空比發(fā)生變化，進(jìn)而調節UO保持不變。反饋繞組的輸出電壓經(jīng)VD4、C15整流濾波后，給光耦中的接收管提供偏壓。C5還與R8一起構成尖峰電壓濾波器，使偏置電壓在負載較重時(shí)能保持恒定。R7、C9、C10和R3、C5、C8均為控制環(huán)路的補償元件。

2由TOP249Y構成的DC／DC變換式250W

開(kāi)關(guān)電源

該DC／DC變換式開(kāi)關(guān)電源采用一片TOP249Y，輸入為250V～380V直流電壓，輸出為48V、5.2A（250W），電源效率可達84％。其電路如圖2所示。C1為高頻濾波電容，專(zhuān)門(mén)抑制從輸入端引入的電磁干擾。由于TOP249工作在它的功率上限，因此需將X端與源極S短接，把極限電流設置為內部最大值，即ILIMIT=ILIMIT（max）=5.7A。在L端到UI之間接一只2MΩ的電阻R1，可進(jìn)行線(xiàn)路檢測。若UI>450V，則TOP249Y停止工作，直到電壓恢復正常。這就有效地防止了元器件損壞。

由于初級電流較大，須采取以下措施：第一，采用低泄漏電感的高頻變壓器并在初、次級之間增加屏蔽層，將漏感減至最??；第二，在鉗位保護電路中的瞬態(tài)電壓抑制器兩端并聯(lián)阻容元件R2、R3、C6，構成保護功能完善的VDZ1、VD1、R、C型鉗位及吸收電路，以便吸收掉漏感上較大的磁場(chǎng)能量。這種設計的優(yōu)點(diǎn)在于，正常工作時(shí)VDZ1的損耗非常小，泄漏磁場(chǎng)能量主要由R2和R3分擔；VDZ1的關(guān)鍵作用是限制在起動(dòng)（或過(guò)載）情況下的尖峰電壓，確保內部MOSFET的漏極電壓低于700V。

次級繞組電壓首先經(jīng)過(guò)VD2、C9、C10和C11整流、濾波，再通過(guò)L2、C12濾除開(kāi)關(guān)噪聲之后，獲得穩定的直流輸出電壓UO。為減小濾波電容的等效電感，現將C9、C10和C11作并聯(lián)使用。穩壓管VDZ2、VDZ3和VDZ4的穩壓值分別為22V、12V、12V，串聯(lián)后的總穩壓值UZ=46V，穩定電流IZ≈10mA。設光耦中紅外發(fā)光二極管LED的正向壓降為UF，輸出電壓由下式確定：

圖2-250W開(kāi)關(guān)電源電路

UO=UZ＋UF＋UR6≈46V＋1V＋10mA×100Ω=48V

R6是LED的限流電阻，它還決定控制環(huán)路的增益。二極管VD4和電容C14構成軟起動(dòng)電路。剛上電時(shí)，由于C14兩端壓降不能突變，致使VD6因負極接低電平而導通，此時(shí)穩壓管不工作。隨著(zhù)C14被充電，其兩端的壓降不斷升高，又使VD4變成截止狀態(tài)，輸出電壓才建立起來(lái)。掉電后，C14上的電荷就經(jīng)過(guò)R9泄放掉。C13和R8為高壓控制回路的頻率補償元件。為了保證TOP249Y能在滿(mǎn)載情況下正常輸出，必須給TOP249Y加上面積足夠大的散熱器，使芯片即使在低壓輸入或最高環(huán)境溫度下工作，芯片的最高結溫也不超過(guò)110℃（僅對Y封裝而言，其他封裝均不得超過(guò)100℃）。若受安裝條件限制，無(wú)法加裝大散熱器，則必須進(jìn)行通風(fēng)降溫。

3由TOP246Y構成的45W多路輸出式開(kāi)關(guān)

電源