單片式開(kāi)關(guān)電源在電器控制系統中的應用
圖2 TNY268P系列芯片內部結構框圖
1.3 外圍電路設計及主要參數計算
TNY268P系列芯片集成度高,內部保護功能較為完善,外圍電路設計比較簡(jiǎn)單.它主要包括交流輸入濾波電路、功率變壓器、輸出反饋電路、輸入輸出整流濾波電路以及保護電路的設計計算.
1.3.1 功率變壓器的設計
1)磁芯選擇.高頻變壓器的設計包括功率變壓器的工作模式確定、磁芯尺寸形狀選擇、原/副邊繞組的參數計算及變壓器的繞制等.TinySwitch有連續、不連續和完全不連續3種模式.為了降低電磁干擾,減小輸出濾波電容的容量,本設計選擇不連續工作模式.為了滿(mǎn)足TNY268P芯片132kHz的工作頻率,減小泄漏磁場(chǎng),選用低成本的EE22型錳鋅鐵氧體磁芯.
2)變壓器參數計算.
①確定最大占空比Dmax
式中,Pomax為總輸出最大功率;η為電源效率;VImin為初級繞組直流輸入電壓的最小值.
②計算KDP
KDP表示TinySwitch的關(guān)斷時(shí)間與磁芯泄放能量時(shí)間的比例系數,其大小決定芯片的工作模式, KDP≥1工作在不連續模式.
式中,VOR為初級感應電壓.
③原副邊繞組的電感量及匝數.
式中,fs為開(kāi)關(guān)頻率.
式中,Al為磁芯的電感系數.同理可根據計算公式計算次級主輸出繞組的匝數以及每匝電壓值,以確定其他次級繞組的匝數.
④導線(xiàn)線(xiàn)徑計算.
首先計算電流峰值和有效值,然后選取電流密度為400c.m./A,求出導線(xiàn)的橫截面積;最后根據計算值再重新計算占空比,核算窗口面積是否滿(mǎn)足設計要求.
3)變壓器的繞制技術(shù).
高頻變壓器的繞制是電源設計的關(guān)鍵環(huán)節.繞制時(shí)必須注意初級繞組要繞在最里層且設計成兩層以下,以減小初級繞組的分布電容和產(chǎn)生的電磁干擾,縮短導線(xiàn)的長(cháng)度.為增強抗EMI的能力,反饋繞組可置于初、次級繞組之間.次級繞組以輸出功率的大小為依據,功率大的靠近初級繞組以減小漏感,如果繞組匝數較少,應使繞組均勻充滿(mǎn)整個(gè)骨架.
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