先進(jìn)嵌入式DC-DC轉換器的要求
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1.帶驅動(dòng)器和MOSFET的分立式解決方案現在仍在普遍使用。為滿(mǎn)足所有設計要求,現在飛兆半導體提供的采用小尺寸熱性能增強型MLP(QFN) 封裝的產(chǎn)品,可獲得高系統性能。MOSFET實(shí)現了首先采用MLP封裝(見(jiàn)圖3所示)。其Power56和Power33產(chǎn)品系列采用最新的PowerTrench技術(shù),能夠同時(shí)提供超低RDSon 和低Qg,從而適用于高開(kāi)關(guān)頻率應用。鍵合技術(shù)可減小封裝的電感 ,提高封裝有限的ID ,適用于大電流應用。其低端FET產(chǎn)品組合采用SyncFET集成了肖特基二極管 ,在實(shí)現高開(kāi)關(guān)性能的同時(shí)降低了熱耗。
FDMS9600S在一個(gè)不對稱(chēng)的Power56封裝內集成了一個(gè)高端FET和一個(gè)低端SyncFET,可進(jìn)一步提高熱性能,并實(shí)現小尺寸的緊湊型PCB設計 (圖4)。
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