一種改進(jìn)的無(wú)橋Boost功率因數校正電路
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4 實(shí)驗
為了驗證上述改進(jìn)無(wú)橋拓撲硬件實(shí)現的可行性，采用BCM控制芯片L6562設計了一臺輸入為85～265 V，輸出電壓為400 V，滿(mǎn)載輸出功率為300 W的實(shí)驗樣機。
4．1 電路關(guān)鍵部分設計
由法拉第電磁感應定律計算開(kāi)關(guān)管的導通時(shí)間和阻斷時(shí)間，進(jìn)而推出開(kāi)關(guān)頻率為：
式中：Pi為變換器輸入功率；θ為輸入電壓相角；Uirms為輸入電壓有效值；Uo為輸出電壓。
設全電壓范圍內電路最低工作效率為92％，那么此時(shí)Pi=326 W，由式(2)可得f(Uirms)與Uirms的關(guān)系曲線(xiàn)，如圖5所示。由圖可知，當Uirms=265 V時(shí)，f(Uirms)取最小值。由fsw(π／2)=f(Uirms)／L可知，對于確定的L，當Uirms=265 V時(shí)，fsw(π／2)取值最小。設計中將此最低工作頻率設為25 kHz，進(jìn)而可以計算出L=272μH。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/177580.htm
4．2 實(shí)驗結果
圖6示出220 V輸入，滿(mǎn)載輸出時(shí)，樣機輸入電壓uin、電流iin波形，110 V輸入時(shí)，L2電流iL2波形和VS1的驅動(dòng)電壓ugsVS1和漏源電壓udsVS1波形。由圖可知，iin趨近于正弦且與uin同相，在非工作的半周期中，iL2基本保持為零，功率MOFET管在udsVS1諧振谷值時(shí)開(kāi)通。
VD5電壓波形如圖7所示，此電壓波形趨近于工頻正弦半波，半波所包含的高頻紋波是由于實(shí)際電路變換器輸入端差模電容承擔濾除高頻電流紋波而引起的，其紋波幅值與差模電容上的紋波幅值相等，可通過(guò)增大差模電容來(lái)減小紋波幅值。VD3的電壓實(shí)驗波形與其仿真波形一致，此波形與VD5的電壓波形相似，區別在于VD3的電壓過(guò)零處存在紋波，而半波處紋波幅值較小。
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