THS4271集成電路實(shí)驗特性及其應用

3．2 輸入失調電流測量
輸入失調電流IIO的大小反映了運放內部差動(dòng)輸入級兩個(gè)晶體管β的適配度，由于IB1和IB2本身的數值很小(大約在微安級別)，因此他們的差值通常不是直接測量的，測試電路原理如圖2所示。
IIO的測量分兩步：
1)閉合開(kāi)關(guān)S1和S2，在低輸入電阻下，測出輸出電壓為UO1，其中UO1=(R1+Rf)·UIO／R1，如前所述，這就是由輸入失調電壓UIO引起的輸出電壓。
2)斷開(kāi)S1和S2，兩個(gè)輸入電阻RB接入電路，測得此時(shí)的輸出電壓為UO2。由于RB阻值較大，流經(jīng)它們的輸入電流IB1、IB2的差異將變成輸入電壓的差異，即IIO·RB=|IB1-IB2|·RB，考慮同時(shí)存在的輸入失調電壓的影響，可得UO2=(UIO+IIO·RB)·(R1+RF)／R2。
綜上所述，將兩次測得的數據UO1=0．392 V和UO2=0．693 V代入IIO=(UO2-UO1)·R1／RB(R1+Rf)，即可得到電路的輸入失調電流IIO=11 1．16 nA。
3．3 共模抑制比測量
共模抑制比測量電路如圖3所示。集成運放在閉環(huán)狀態(tài)下的差模電壓放大倍數為Ad=Rf／R1，當接入共模輸入信號幅值為UiC時(shí)，測得輸出幅值為UOC，則共模電壓放大倍數為Ac=UOC／UIC，得到共模抑制比CMRR=Ad／AC=Rf·UIC／(R1·UOC)。實(shí)驗測得，Ac=2.4，則CMRR=32.4 dB。