利用BJT開(kāi)關(guān)的Marx型脈沖發(fā)生器
3 納秒級Marx負脈沖發(fā)生器
在此利用BJT的擊穿特性設計的納秒級Marx負脈沖發(fā)生器如圖4所示。本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/175875.htm
該發(fā)生器由8級充放電回路組成,初級觸發(fā)開(kāi)關(guān)采用MOSFET,可通過(guò)控制MOSFET的導通來(lái)控制輸出脈沖的頻率。其輸出電壓如圖5所示,其中輸入電壓為290 V,各級充電電阻和電容分別為3.3 kΩ和1 nF。以9個(gè)同型號BJT串聯(lián)作為負載,測量輸出電壓波形如圖5所示??梢?jiàn),圖4中發(fā)生器輸出了一個(gè)峰值為2.3 kV,脈寬低于10 ns,下降沿為3 ns的極短負脈沖電壓信號。
4 結論
在此提出了利用雙極結型晶體管的極間擊穿特性來(lái)實(shí)現開(kāi)關(guān)功能,并取代火花隙開(kāi)關(guān)以達到提高頻率和設備小型化的要求。首先考察了雙極結型晶體管的開(kāi)關(guān)特性,并設計出一個(gè)實(shí)驗用納秒級Marx負脈沖發(fā)生器,可實(shí)現幅值0~2 kV,脈寬低于10 ns,脈沖下降沿為3 ns的極短負脈沖。該發(fā)生器體積小,工作穩定,適用于生物、醫藥等顯微操作的場(chǎng)合。
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