利用BJT開(kāi)關(guān)的Marx型脈沖發(fā)生器
2.2 BJT的擊穿特性
BJT用作開(kāi)關(guān)時(shí),具有兩個(gè)二極管復合而成的特點(diǎn),開(kāi)關(guān)速度受到PN結所儲存的少數載流子影響,控制開(kāi)關(guān)ON/OFF的電流流通時(shí),兩個(gè)PN結結合的部分僅需保持飽和電壓,在有電壓限制的環(huán)境下比較容易滿(mǎn)足要求,而且適于大批量生產(chǎn)且價(jià)格低廉,因此廣泛應用于民用、工業(yè)、航空等各個(gè)領(lǐng)域。與其他半導體開(kāi)關(guān)元件相比,BJT除了其經(jīng)濟性外,開(kāi)關(guān)頻率、耐壓等特性雖然并不突出,但研究中利用BJT的PN結擊穿特性,使其能發(fā)揮優(yōu)秀的性能,實(shí)現其他半導體無(wú)法達到的納秒級開(kāi)關(guān)速度。
2.3 BJT擊穿特性測試電路
如圖2a所示的實(shí)驗電路中,Udc加到BJT的集射極之間,基極采用可變電阻,測定基極電阻與實(shí)驗電路中擊穿電壓、擊穿速度的關(guān)系。圖2b中實(shí)驗電路是在圖2a中BJT的集射極間加入一個(gè)1 nF的電容,Udc的能量先儲存在電容中,繼而加到BJT之間。該電路與Marx的電路構造相似,并由此決定電路參數。本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/175875.htm
2.4 BJT擊穿特性
測量所用的設備有示波器(DP02014)、測量探針(示波器附屬的1/10,1/100電壓測量探針)。首先圖2a中基射極間電阻為零時(shí),即基射極短路時(shí),集射極之間的擊穿電壓的放大擊穿瞬間如圖3a所示??梢?jiàn),當集射極間電壓升至200 V以上時(shí),發(fā)射極與集電極之間發(fā)生擊穿,經(jīng)數微秒后,回到截止狀態(tài)。BJT擊穿過(guò)程,擊穿時(shí)間在10 ns以?xún)?,也就是BJT作為開(kāi)關(guān)時(shí),開(kāi)關(guān)的閉合時(shí)間在10ns以?xún)?,約為5ns,可實(shí)現極其快速的開(kāi)關(guān)過(guò)程。
在BJT基射極之間接入1 kΩ的電阻,BJT的擊穿電壓如圖3b所示。由圖可知,擊穿時(shí)間增大到20 ns左右。在兩極之間分別接入100Ω,2 kΩ,33 kΩ的電阻進(jìn)行測試,由實(shí)驗結果可知BJT的擊穿速度基本不變。圖2b所示的實(shí)驗電路更接近于Marx發(fā)生器的實(shí)際電路。選擇速度最快的基射極間短路的方式并在集電極與發(fā)射極間接入1 nF電容,觀(guān)察BJT的擊穿電壓如圖3c所示??梢?jiàn),BJT的擊穿速度明顯減慢為40 ns。
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