驅動(dòng)集成電路功率級中瞬態(tài)問(wèn)題的處理

改善耦合

3a、提高自舉電容(Cb)值，至少使用一個(gè)低ESR電容，減小由于VS負

過(guò)沖而產(chǎn)生的過(guò)充電。

3b、在VCC和COM間使用第二個(gè)低ESR電容，這個(gè)電容為低端輸出緩沖

電路和自舉電路再充電推供電源，

建議該值至少是Cb的十倍。

3c、盡量將去耦電容靠近相應的管腳，如圖7。

3d、如果需要在自舉 二極管中串聯(lián)電阻，要確保VB不會(huì )降到COM以下，

特別是在啟動(dòng)時(shí)和極端頻率和占空比下。

適當的利用上述推薦方法，可以從根本最小化VS負過(guò)沖的影響，如果負過(guò)沖水平仍然很高，就應考慮減小dv/dt了。

也許可以用外部吸收電路或增加柵極驅動(dòng)電阻來(lái)折衰效率和開(kāi)關(guān)速率。如果系統不能允許，應適當考慮快速反并聯(lián)嵌位二極管，HEXFRED是理想的選擇。

8.提升VS負過(guò)沖免疫力

在最壞條件下，如果主要信號在確定的極限值內，就不再需要采取措施。然而，在噪聲非常大的環(huán)境中，采用上面措施，VS負過(guò)沖仍然超過(guò)，就需要進(jìn)一步提高驅動(dòng)IC的容錯能力。我們推薦兩種不同方法來(lái)改善負過(guò)沖免疫力。

方法A：

在VS腳到橋電路中點(diǎn)串聯(lián)電阻，限制當負過(guò)沖時(shí)流入VS腳的電流。當電阻為或更低時(shí)是可以的。

既然自舉電容充電經(jīng)過(guò)此電阻，如圖8，如果此電阻值過(guò)大，可能在啟動(dòng)時(shí)引起直通發(fā)生。如果有柵極電阻，柵極電阻應減小，以保證高端和低端柵極電阻相等。

方法B：

另外一個(gè)方法是：在COM和低端器件源極或發(fā)射極加入一個(gè)電阻，如圖9，而自舉電容充電不經(jīng)過(guò)此電阻，這種方法較靈活，可選擇較大的電阻并提供很好的保護。

這個(gè)電阻可限制流入600V二極管D2的電流(圖3)，同樣，驅動(dòng)的對稱(chēng)性要求高低端柵極電阻相等，所以低端柵極電阻應適應減小以滿(mǎn)足要求。

注意：

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當使用的驅動(dòng)IC沒(méi)有分開(kāi)的邏輯地時(shí)，例如有些IC的輸入和輸出共享一個(gè)地COM，上述討論的兩種方法都可以應用，然而應注意并確保輸入邏輯在允許電平內。

9.附錄1 : IR2110寄生二極管結構

圖10是IR2110的寄生二極管結構圖，這基本體現了絕對最大額定值表。IR2110有獨立邏輯地和輸出地，在某些驅動(dòng)IC中，由于管腳的限制，這兩個(gè)地合并為一個(gè)。