奇夢(mèng)達推出DDR366移動(dòng)RAM

奇夢(mèng)達推出DDR366移動(dòng)RAM——業(yè)界首款性能高達183兆赫的移動(dòng)RAM，滿(mǎn)足移動(dòng)應用不斷增長(cháng)的帶寬需求，同時(shí)實(shí)現最低功耗

奇夢(mèng)達股份公司（NYSE：QI）宣布推出全球首款183兆赫雙數據速率同步移動(dòng)RAM（DDR366）。這款全新的存儲器件采用60球細密球型網(wǎng)數組封裝（FBGA封裝），存儲容量為512Mb, 工作電壓為1.8V，符合JEDEC DDR標準。為提高系統制造商對高帶寬市場(chǎng)需求的回應，奇夢(mèng)達率先推出的183赫茲移動(dòng)RAM將以其低功耗滿(mǎn)足具有多種應用的消費類(lèi)手持終端不斷增長(cháng)需求。

“從多媒體手機到MP3音頻/視頻播放器和數碼相機等各類(lèi)便攜式終端日益普及，拉動(dòng)了市場(chǎng)對高性能和低功耗存儲解決方案的需求?！逼鎵?mèng)達管理委員會(huì )成員Thomas Seifert指出，“隨著(zhù)這些移動(dòng)電子產(chǎn)品功能越來(lái)越豐富，相關(guān)芯片必須能夠支持高性能特性，同時(shí)不會(huì )導致整體功耗大幅上升。隨著(zhù)首款183兆赫1.8V移動(dòng)RAM的推出，奇夢(mèng)達進(jìn)一步鞏固了自己在面向便攜式終端的高速度、低功耗存儲解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)先地位?！?

這款全新高速移動(dòng)RAM的數據傳輸速率為366兆比特/秒，比標準DDR266 DRAM快30%。在系統設計不改變的前提下，該性能記錄是采用常規BGA封裝方式實(shí)現的。作為移動(dòng)RAM市場(chǎng)的領(lǐng)導者，奇夢(mèng)達與主要的客戶(hù)和領(lǐng)先處理器廠(chǎng)商密切合作，確保2007年推出的系統平臺的互通性。

這款移動(dòng)RAM不但具備電池供電設備所需的超低功耗，而且采用了適用于板卡空限受限產(chǎn)品的極其緊湊的芯片級封裝。立足于自身的節電型溝道技術(shù)，以及電源管理特性，例如TCSR（溫度補償自刷新）、PASR（部分陣列自刷新）、OTCS（片上溫度傳感器）和DPD（深度省電）模式，奇夢(mèng)達在最新推出的移動(dòng)RAM上實(shí)現了工作電流最小化，從而延長(cháng)了電池工作時(shí)間。