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STM32單片機硬件關(guān)鍵基礎精華及注意事項

作者: 時(shí)間:2012-09-06 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏


消除影響ADC精度的因素(1)

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/170908.htm

  1、ADC模塊自身的誤差

  積分線(xiàn)性誤差(ILE)和微分線(xiàn)性誤差(DLE)依賴(lài)于A(yíng)DC模塊的設計,校準它們是困難的。進(jìn)行多次轉換再做平均可以減小它們的影響。偏移和增益誤差可以簡(jiǎn)單地使用ADC模塊的自校準功能補償。

  2、電源噪聲,尤其是開(kāi)關(guān)電源(SMPS)的高頻噪聲

  線(xiàn)性穩壓器具有較好的輸出。強烈建議在整流輸出端連接濾波電容。如果使用開(kāi)關(guān)型電源,建議使用一個(gè)線(xiàn)性穩壓器為模擬部分供電。建議在電源線(xiàn)和地 線(xiàn)之間連接具有良好高頻特性的電容,即在靠近電源一端應放置一個(gè)0.1μF和一個(gè)1~10μF的電容。每一對VDD和VSS管腳都需要使用單獨的去藕電 容。VDDA管腳必須連接到2個(gè)外部的去藕電容器(10nF瓷介電容+1μF的鉭電容或瓷介電容)對于100腳和144腳封裝的產(chǎn)品,可以在VREF+上 連接一個(gè)外部的ADC的參考輸入電壓,從而改善對輸入低電壓的精度。

  消除影響ADC精度的因素(2)

消除影響ADC精度的因素

消除影響ADC精度的因素(3)

  1、電源輸出不穩,隨負載變化

  ADC模塊使用VREF+或VDDA作為模擬參考,數字數值的輸出是這個(gè)參考電壓與模擬輸入信號的比值,VREF+必須在各種負載情況下保持穩定??梢允褂弥T如LM236作為VREF+的參考電壓,這是一個(gè)2.5V的電壓參考二極管

  2、模擬輸入信號的噪聲

  平均值方法:適合處理不頻繁變化的模擬輸入信號,增加一個(gè)外部濾波器消除高頻噪聲。

  3、將最大的信號幅度與ADC動(dòng)態(tài)范圍匹配

  選擇參考電壓(僅適合于具有VREF+引腳的產(chǎn)品),使用一個(gè)外部的前級放大器。

  4、I/O引腳間的串擾(臨近數字信號的翻轉)

  模擬信號線(xiàn)的周?chē)贾玫鼐€(xiàn)產(chǎn)生屏蔽,能有效地減小串擾干擾噪聲。

  消除影響ADC精度的因素(4)


消除影響ADC精度的因素

VDD與VDDA的處理

  供電引腳

  共有7種封裝規格,共有多組VDD/VSS引腳,以及一組VDDA/VSSA引腳。

STM32共有7種封裝規格,共有多組VDD/VSS引腳,以及一組VDDA/VSSA引腳

  盡管所有VDD和所有VSS在內部相連,在芯片外部仍然需要連接上所有的VDD和VSS。因為導線(xiàn)較細,內部連接負載能力較差,抗干擾的能力也較差,如果漏接VDD或VSS,容易造成內部線(xiàn)路損壞,同時(shí)抗干擾能力下降。

  VDD與VSS的去藕電容

  每對VDD與VSS都必須在盡可能靠近芯片處分別放置一個(gè)10nF~100nF的高頻瓷介電容。在靠近VDD3和VSS3的地方放置一個(gè)4.7μF~10μF的鉭電容或瓷介電容。

每對VDD與VSS都必須在盡可能靠近芯片處分別放置一個(gè)10nF~100nF的高頻瓷介電容

VDD與VDDA的關(guān)系

  VDDA為所有的模擬電路部分供電,包括:

VDD與VDDA的關(guān)系

  ADC模塊,復位電路,PVD(可編程電壓監測器),PLL,上電復位(POR)和掉電復位(PDR)模塊,控制VBAT切換的開(kāi)關(guān)等。即使不 使用ADC功能,也需要連接VDDA,強烈建議VDD和VDDA使用同一個(gè)電源供電。VDD與VDDA之間的電壓差不能超過(guò)300mV,VDD與VDDA 應該同時(shí)上電或調電。

  供電方案

供電方案

  如何達到最優(yōu)功耗水準

  低功耗模式

如何達到最優(yōu)功耗水準

I/O引腳的處理

  1、如果需要減小I/O端口的電流消耗,可以根據具體情況配置I/O端口的狀態(tài):

  輸入端口????配置為浮空輸入,帶外部上拉的輸出端口????配置為推挽輸出并輸出’1’,,帶外部下拉的輸出端口????配置為推挽輸出并輸出’0’。

  2、未用的內部外設:

  保持為關(guān)閉和默認的復位狀態(tài):

  不要進(jìn)行重映射,復位寄存器RCC_APB1RSTR和RCC_APB2RSTR。關(guān)閉對應的時(shí)鐘,時(shí)鐘使能寄存器:RCC_AHBENR、RCC_APB2ENR和RCC_APB1ENR。

  進(jìn)入SLEEP模式的省電操作

  1、為了降低系統功耗,進(jìn)入SLEEP模式時(shí),執行如下操作流程:

  關(guān)閉無(wú)需等待中斷或事件的外設時(shí)鐘;設置進(jìn)入機制(Sleep-Now或Sleep-on-Exit);設置系統進(jìn)入SLEEP模式。

  2、退出睡眠模式的方式:

  WFI(等待中斷),可由任一外設中斷觸發(fā),WFE(等待事件),可由任一外設事件觸發(fā)。

  進(jìn)入STOP省電模式的操作

  為了降低系統功耗,進(jìn)入STOP模式的操作流程:

  關(guān)閉設置為普通IO功能的GPIO口時(shí)鐘;

  關(guān)閉已開(kāi)啟時(shí)鐘的外設的使能位(尤其是ADC、DAC、USB等帶模擬模塊的外設);

  關(guān)閉已開(kāi)啟時(shí)鐘的外設的時(shí)鐘;

  關(guān)閉預取緩沖區,并將Flash等待周期置為0;

  設置PWR_CR中LPDS位選擇電壓調節器的模式:

  正常模式:電壓調節器處于正常供電狀態(tài);

  低功耗模式:可降低電壓調節器自身的功耗,

  將MCU從STOP模式喚醒的時(shí)間有所增加;

  設置系統進(jìn)入STOP模式。

  退出STOP省電模式的操作

  1、退出停止模式:

  以WFI進(jìn)入時(shí):任意外部中斷線(xiàn)的中斷;

  以WFE進(jìn)入時(shí):任意外部中斷線(xiàn)的事件;

  不包括PVD和USB喚醒事件。

  2、從STOP模式恢復后,時(shí)鐘的配置返回到復位時(shí)的狀態(tài)(系統時(shí)鐘為HSI),用戶(hù)程序必須重新配置整個(gè)時(shí)鐘系統,包括PLL。

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