基于超薄外延技術(shù)的雙擴散新型D-RESURF LDMOS設計
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2 器件的仿真優(yōu)化設計
設計中應用MEDICI、Tsuprem4軟件對器件進(jìn)行優(yōu)化。在符合4．5μm薄外延的工藝條件下，為改善器件表面電場(chǎng)，使器件最高耐壓大于700V的設計要求，對P-top注入劑量與結構尺寸進(jìn)行了仿真優(yōu)化設計。同時(shí)，分析了漂移區濃度對擊穿電壓和導通電阻的影響，通過(guò)仿真得出最佳濃度分布范圍。
2．1 P-top注入劑量與結構尺寸的仿真優(yōu)化
由于在縱向P-top降場(chǎng)層的結深都很淺，所以其濃度變化可以忽略不計。在這里主要分析P-top降場(chǎng)層沿x方向的一維模型，多環(huán)注入時(shí)雜質(zhì)濃度分布為R(x，t)，Cfo(x，t)和Cfi(x，t)分別是當推結時(shí)間(T)后的第一個(gè)環(huán)和第i個(gè)環(huán)的雜質(zhì)濃度分布，其公式為：
通過(guò)公式可以調節在版圖中P-top環(huán)的窗口尺寸和間距的大小，實(shí)現P-top降場(chǎng)層的線(xiàn)性變摻雜?？紤]工藝制作水平和誤差等因素，為避免出現工藝失真，窗口的尺寸和間距不易太小，但如果窗口的間距太大，就不易實(shí)現降場(chǎng)層的線(xiàn)性變摻雜，因此需選取合適的窗口尺寸和間距。經(jīng)過(guò)仿真設計與實(shí)際測試，得到兩組具體的窗口尺寸，見(jiàn)表1。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/166181.htm
對P-top降場(chǎng)層的注入劑量和窗口尺寸進(jìn)行優(yōu)化設計，其模擬結果如圖4所示，由圖可見(jiàn)窗口尺寸較小時(shí)(A結構)更近似為線(xiàn)性變摻雜，其濃度在2．2E13cm-3～3E13cm-3范圍內都滿(mǎn)足器件擊穿電壓大于700V，而窗口尺寸較大的B結構注入劑量只在2．3E13cm-3～2．8E13cm-3范圍內才滿(mǎn)足器件擊穿電壓大于700V，顯然其變化范圍較小，提高了工藝的復雜程度，所以這里選取A結構中最優(yōu)值2．5E13cm-3進(jìn)行工藝設計。
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