圖8顯示了超前/滯后合成器網(wǎng)絡(luò )輸出失配時(shí)發(fā)生的情況。這一仿真中，在Port1合成器輸出上有5.0:1 VSWR的失配。使用5.0:1 VSWR的原因在于這是手機環(huán)境中可能發(fā)生的最壞失配情況。Ports2和4受到的影響是阻抗轉換，亦即每個(gè)PA輸出2.0:1 VSWR。前端組件插損可對天線(xiàn)失配起一定隔離作用。典型前端組件插損至少3dB，這限定了超前/滯后合成器輸出的最壞情況VSWR是3.0:1，而非5.0:1。
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圖9所示為測得的RF6285的ACLR性能與VSWR的關(guān)系，從中可看出PA正交架構的優(yōu)勢。作為參考，在3.0:1的最壞情況VSWR下，ACLR下降不到2dB，而單端PA時(shí)為10dB。對于3.0:1的最壞情況VSWR，RF6285的功率下降只有2.5dB，相同情況下單端PA則為3.5dB(圖10)。圖11顯示了RF6285的峰值集電極電流與VSWR的關(guān)系。在2.0:1最壞情況VSWR下，RF6285的峰值集電極電流只增加了3%，而相同條件下單端PA的增加了20%之多。
3G手機的設計人員面臨著(zhù)大量挑戰，究竟應該優(yōu)先解決那些問(wèn)題，需根據最終應用來(lái)決定。像RD6280模塊這樣的解決方案可為多頻帶應用帶來(lái)靈活性的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)在所有功率級和工作模式下都能保持最佳性能。相反地，RF6241、RF6242和RF6245等高度集成的解決方案可減少元件數目求。上述兩類(lèi)解決方案都能夠滿(mǎn)足改進(jìn)回退功率級下耗電量的要求，而RD6280包含有PA PMIC，可提供更多的性能優(yōu)化。
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