基于溫度補償的無(wú)運放低壓帶隙基準源設計
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面積為148μm×120μm。基于0．5μm CMOS工藝，通過(guò)spectre對圖3所示的電路進(jìn)行仿真優(yōu)化。在電源電壓為3．3 V的條件下，溫度從-20～120℃變化時(shí)，得到圖5所示輸出電壓Vref隨溫度變化仿真曲線(xiàn)圖，溫度系數為35．6 ppm／℃。圖6是得到的輸出電流Iref隨溫度變化仿真曲線(xiàn)圖，溫度系數為37．8 ppm／℃。這說(shuō)明了電路可以同時(shí)提供溫度補償的低溫漂基準電壓和基準電流。基準電壓的PSRR特性如圖7所示，在直流情況下，PSRR為-68dB。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/160474.htm
5 結語(yǔ)
基于低電壓帶隙基準源的基本原理，提出一個(gè)可以同時(shí)提供溫度補償的低壓基準電壓和基準電流的電路設計。設計中用具有正溫度系數的薄膜電阻對基準電流進(jìn)行溫度補償，通過(guò)改進(jìn)帶隙基準電路中的帶隙負載結構對基準電壓進(jìn)行補償，同時(shí)得到了低溫漂的基準電流和基準電壓。仿真結果表明，在-20～120℃的溫度范圍內，基準電壓和基準電流的溫度系數均小于40 ppm／℃，具有較好溫度特性，直流時(shí)的電源抑制比為-68 dB。此電路設計結構簡(jiǎn)單，可以廣泛應用于各種集成電路中。
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