基于峰值控制的IGBT串聯(lián)均壓技術(shù)

摘要：絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)串聯(lián)應用的關(guān)鍵技術(shù)是均壓控制。峰值控制技術(shù)是保證串聯(lián)運行中每個(gè)IGBT的集射極電壓都不超過(guò)安全極限的有效技術(shù)。在介紹IGBT工作特性的基礎上，對串聯(lián)IGBT關(guān)斷過(guò)程不同動(dòng)態(tài)時(shí)段內的均壓控制目標進(jìn)行了分析，為設計不帶RC緩沖回路的均壓方法提供了理論基礎。綜合各階段控制要點(diǎn)，采用基于穩壓管箝位的峰值控制方法，在低壓實(shí)驗中實(shí)現了有效的串聯(lián)均壓，驗證了理論分析的正確性。最后，針對該方法在高壓應用時(shí)的缺點(diǎn)，提出了一種新的峰值控制方法，并通過(guò)仿真驗證了該方法均壓控制的有效性。
關(guān)鍵詞：絕緣柵雙極型晶體管；均壓；峰值控制

1 引言
隨著(zhù)電力電子技術(shù)的發(fā)展，高壓大功率設備對IGBT的耐壓等級提出更高要求，故IGBT串聯(lián)技術(shù)成為研究熱點(diǎn)之一。IGBT串聯(lián)應用的關(guān)鍵問(wèn)題是實(shí)現均壓。在眾多IGBT串聯(lián)均壓技術(shù)中，最簡(jiǎn)單、可靠的方法是并聯(lián)RC緩沖回路。但在高壓場(chǎng)合，考慮到損耗、體積及造價(jià)等因素，無(wú)RC緩沖回路的均壓方法更實(shí)用。此外，基于電壓軌跡控制和門(mén)極信號延時(shí)調整等有源方法，因控制電路過(guò)于復雜，使用場(chǎng)合受到限制。故有必要基于IGBT特性及均壓控制的要點(diǎn)，選擇更有效的均壓方法。
在此首先分析IGBT各階段均壓控制的目標，采用穩壓管箝位的峰值控制技術(shù)，在低壓實(shí)驗中驗證了該均壓原理的有效性。然后針對該技術(shù)在高壓場(chǎng)合應用時(shí)的缺點(diǎn)，提出一種新的峰值控制方法，并通過(guò)仿真驗證了該方法的有效性。

2 IGBT串聯(lián)均壓控制分析
作為IGBT的主要特性，輸出特性描述的是以門(mén)極電壓uGE為參考變量時(shí)，集電極電流iC與集射極間電壓uCE的關(guān)系。輸出特性分為4個(gè)區域：飽和區、有源區、截止區和擊穿區。IGBT的動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)過(guò)程，主要是在截止區和飽和區間來(lái)回轉換，而在器件的轉換過(guò)程中經(jīng)過(guò)有源區。
IGBT器件通常有4種工作狀態(tài)：關(guān)斷瞬態(tài)、關(guān)斷穩態(tài)、開(kāi)通瞬態(tài)、開(kāi)通穩態(tài)。因IGBT不均壓情況在關(guān)斷時(shí)比開(kāi)通時(shí)更復雜，在此以關(guān)斷時(shí)的均壓控制為主要研究目標。

按外電路和器件內部參數不一致等因素對uCE不均壓的影響效果，可將串聯(lián)IGBT關(guān)斷不均壓過(guò)程分為關(guān)斷瞬間的T1(uCE上升部分)、T2(拖尾部分)和關(guān)斷穩態(tài)(T2以后)三階段，如圖1所示。T1階段，主要是由外電路和器件內部參數的差異引起串聯(lián)IGBT的uCE不均壓。此時(shí)IGBT工作在有源區，可通過(guò)調節uGE對uCE進(jìn)行控制；T2階段，引起串聯(lián)IGBT的uCE不均壓的主要因素是拖尾電流不同。此時(shí)，IGBT進(jìn)入截止區，uGE對拖尾電流無(wú)影響，由拖尾電流引起的uCE不均壓不受門(mén)極直接控制。關(guān)斷穩態(tài)時(shí)，只有很小的漏電流流過(guò)IGBT，并聯(lián)合適的均壓電阻即可實(shí)現IGBT串聯(lián)運行。

3 基于峰值控制的均壓方法
IGBT均壓最直接的目的就是保證串聯(lián)運行中每個(gè)IGBT的uCE都不超過(guò)安全極限。所以，對電壓峰值進(jìn)行控制是很重要、有效的技術(shù)路線(xiàn)。峰值控制不關(guān)心uCE的中間變化軌跡，只有當uCE升至設定的電壓水平時(shí)，均壓控制才開(kāi)始起作用。當所有串聯(lián)IGBT的uCE峰值都被箝位在給定值之內，就實(shí)現了動(dòng)態(tài)均壓的目的。
3．1 穩壓管箝位的峰值控制
通過(guò)上述對串聯(lián)IGBT均壓階段特性的分析，綜合各階段均壓控制的特點(diǎn)，采用基于穩壓管箝位的峰值控制方法實(shí)現IGBT串聯(lián)均壓，均壓電路如圖2a所示。該方法將串聯(lián)IGBT的關(guān)斷過(guò)程進(jìn)行優(yōu)化，在T1階段，使uCE具有兩階段電壓變化率，如圖2b所示。第1階段電壓變化率較快，以降低損耗：第2階段電壓變化率下降，以降低電壓不均衡度，并為箝位電路贏(yíng)得更多的響應時(shí)間。通過(guò)調節轉折點(diǎn)和峰值箝位點(diǎn)的值，在IGBT關(guān)斷過(guò)程的損耗與電壓均衡度之間做出折中。在T2階段，由拖尾電流的差異引起不均壓，通過(guò)峰值箝位電路，向門(mén)極注入電流，改變uGE，使IGBT進(jìn)入有源區，進(jìn)而控制uCE電壓，達到均壓控制。在關(guān)斷穩態(tài)時(shí)，均壓支路還起到均壓電阻的作用。