利用稀布設計低成本單脈沖天線(xiàn)

滿(mǎn)陣可實(shí)現對應加權的最大副瓣電平。由于稀布的影響，稀布陣的和差波束的副瓣電平與滿(mǎn)陣相比明顯抬高，最大副瓣電平約為一25 dB。依據此設計，考慮了加工及饋電的相關(guān)誤差后仍可滿(mǎn)足設計副瓣電平的設計要求。兩個(gè)面差波束的零深均超過(guò)一50 dB，也滿(mǎn)足設計要求。滿(mǎn)陣的和波束寬度約為1．49°，而稀布陣的波束寬度在1．47°左右，與滿(mǎn)陣接近，符合設計要求。由于稀布陣單元的間距足夠小，掃描范圍指標符合要求。對稀布陣的方向圖進(jìn)行全空域積分，得到的方向性是41．1 dB，扣除輻射單元的損耗后可滿(mǎn)足要求。而相控陣天線(xiàn)的成本主要由T／R的成本決定，該稀布陣方案使系統成本下降了20％。

3 結 語(yǔ)
采用稀布的方法設計了一個(gè)低成本單脈沖相控陣天線(xiàn)。該方法基于稀布陣面上加圓口徑Taylor權和圓口徑Bayliss權實(shí)現和差波束。通過(guò)比較該方法的結果與滿(mǎn)陣加相同權的仿真結果發(fā)現二者僅在增益和副瓣電平上有較大的差別。如果設計要求強調分辨率，著(zhù)重波束寬度指標，而對增益和副瓣電平指標不做過(guò)高要求(如本例)，那么該方法具有合理性。實(shí)際上，提供了一個(gè)低成本單脈沖相控陣天線(xiàn)的解決方案。