基于3G手機的RF屏蔽設計
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第二個(gè)關(guān)注的地方是微帶線(xiàn)附近的場(chǎng)線(xiàn)，在靠近地平面的地方它們最強。只要屏蔽和地平面間的距離明顯大于微帶線(xiàn)和地平面間的距離，則增加的屏蔽的效用就微乎其微。線(xiàn)綁定和表貼電感與地平面的直接耦合要弱些，當施加屏蔽時(shí)，預期其場(chǎng)線(xiàn)會(huì )有變化。圖3顯示的是3D模擬的E場(chǎng)分布。
圖3顯示的是不帶屏蔽的輸出匹配的電磁模擬，其電場(chǎng)以伏/米表征。深紅色意味著(zhù)強場(chǎng)線(xiàn)，而深藍色表示電場(chǎng)實(shí)質(zhì)不存在。如所預料，表貼電感和綁定線(xiàn)附近的場(chǎng)線(xiàn)不那么穩固，所以，若在包注模上增加屏蔽則更可能對其產(chǎn)生影響。下一步是勾畫(huà)并檢測雙口S參數模擬在帶和不帶屏蔽條件下相對于高階諧波的任何變化。
輸出匹配的3D EM模擬(圖4)揭示出在更高頻率下共振的改變。在TxM內，電路遠比簡(jiǎn)單的輸出匹配復雜。另外，如在模擬中看到的，為規避高階諧波所實(shí)現的高Q槽路所受到的影響將明顯大于給單一共振帶來(lái)的簡(jiǎn)單變化。
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