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EEPW首頁(yè) > 手機與無(wú)線(xiàn)通信 > 設計應用 > 射頻卡中天線(xiàn)卡內電源的設計

射頻卡中天線(xiàn)卡內電源的設計

作者: 時(shí)間:2011-05-17 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏

原理及實(shí)現

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/156300.htm

非接觸式IC卡又稱(chēng),是世界上最近幾年發(fā)展起來(lái)的一項新技術(shù),它成功地將射頻識別技術(shù)和IC卡技術(shù)結合起來(lái),解決了無(wú)源(卡中無(wú))和免接觸這一難題。MIFARE 1型射頻部的功能模塊及原理見(jiàn)下圖1

MIFARE 1型含有l024×8bitEEP—ROM組織,分為16個(gè)區,每區4個(gè)塊,其中射頻接口模塊主要完成以下幾個(gè)功能:

由于卡本身無(wú),需通過(guò)其中的產(chǎn)生電路以整流、濾波、穩壓后為芯。芯片電路的數字部分中各塊的功能是:復位響應電路-在讀寫(xiě)器對IC卡進(jìn)行上電復位時(shí)自動(dòng)將卡的有關(guān)信息傳遞給讀寫(xiě)器,以便使讀寫(xiě)器正確識別Ic卡的類(lèi)型,并對其進(jìn)行相應的操作。防沖突電路一當有多張卡在讀寫(xiě)器的工作范圍時(shí),讀寫(xiě)器先從眾多卡片中選擇一張作為下步處理的對象,將未選中的卡置于暫停工作狀態(tài)以等待下一次被選擇。應用 選擇電路一MIFARE l可“一卡多用”,它負責從存儲區中選擇所需應用。認證與存取控制電路一驗證密碼和訪(fǎng)問(wèn)權限以控制對EEPROM的訪(fǎng)問(wèn)??刂婆c算術(shù)單元一對卡片系統進(jìn)行配置、控制和對數據進(jìn)行加減運算。加密單元一對通訊數據進(jìn)行加密解密等。EEPROM接口電路一對EEPROM進(jìn)行譯碼和讀寫(xiě)擦等操作。EEPROM-存儲數據。

射頻卡的原理

MIFARE 1(M1)型射頻卡的容量為8K位,數據保存期為10年,可改寫(xiě)10萬(wàn)次,讀無(wú)限次。M1卡不帶電源,自帶,內含加密控制邏輯電路和通訊邏輯電路,卡與讀寫(xiě)器之間的通訊采用國際通用的DES和RES保密交叉算法,具有極高的保密性能。

工作原理:卡片在電氣部分只由—個(gè)和ASIC組成,沒(méi)有其它外部器件;:卡片的天線(xiàn)是只有幾組繞線(xiàn)的線(xiàn)圈,很適于封裝到ISO卡片中;ASIC:卡片的ASIC由一個(gè)高速(106KB波特率)的接口,—個(gè)控制單元和—個(gè)8K位EEPROM組成。

M1 射頻卡的工作原理是:讀寫(xiě)器向M1卡發(fā)一組固定頻率的電磁波,卡片內有—個(gè)LC串聯(lián)諧振電路,其頻率與讀寫(xiě)器發(fā)射頻率相同,在電磁波的激勵下,LC諧振電路產(chǎn)生共振,從而使電容內有了電荷,在這個(gè)電容的另一端,接有—個(gè)單向導通的電子泵,將電容內的電荷送到另—個(gè)電容內儲存,當所積累的電荷達到2V時(shí),此電容可做為電源為其它電路提供工作電壓,將數據發(fā)射出去或接取讀寫(xiě)器的數據。

射頻卡電源產(chǎn)生電路的與應用

射頻卡的功能組成包括兩部分,射頻接口電路和數字電路。解決卡內能量的來(lái)源和信號的無(wú)線(xiàn)傳輸則是射頻卡的突出優(yōu)點(diǎn),而這也是射頻接口電路的關(guān)鍵技術(shù)。從讀卡器發(fā)射的射頻信號,在卡內經(jīng)過(guò)耦合、整流濾波與穩壓三過(guò)程,便可得到直流工作電壓。

線(xiàn)圈耦合

L1、L2分別是天線(xiàn)的原邊線(xiàn)圈和副邊線(xiàn)圈, L2從L1耦合過(guò)來(lái)一定能量的高頻電磁波(載波頻率為13.56MHZ), 兩端的電壓即 是接收到的高頻信號。對于卡內接收天線(xiàn)L2,在f=13.56MHZ頻率下,有其等效的電感、電容和損耗電阻值,構成一串聯(lián)諧振電路。對于讀卡器本身而言,其發(fā)射的電磁波能量一定,而卡上的感生電壓由發(fā)射的電磁波的能量和卡與讀卡器的距離共同決定。那么在得到電感L2 的等效電感、電容和損耗電阻值后,就可以在電容兩端并一可變電阻,通過(guò)改變卡與讀卡器的距離,測試電阻上的相應電壓值,來(lái)推算L2上感應到的等效電壓源的值。

整流濾波

天線(xiàn)上獲得的耦合電壓通過(guò)C送人FWR全波整流電路,從而得到單邊的交流信號。在經(jīng)濾波電容CP濾掉高頻信號,其兩端輸出的電壓既為卡內需要的直流電源電壓;該電容同時(shí)又作為儲能器件以爭強負載能力。這里信號經(jīng)濾波電容后可得到—個(gè)直流電壓,但此時(shí)電壓不夠穩定,需采取穩壓措施。

穩壓電路

濾波電容CP兩端輸出的VDD是不穩定的,當卡與讀卡器的距離變化時(shí),它隨著(zhù)卡內線(xiàn)圈E耦合到的電壓的變化而變化,穩壓電路可以使其穩定在3.5V左右。這里,3.5V的壓降由幾個(gè)串聯(lián)的飽和MOS管提供。圖1中的Rload代表了卡內所有電路的內阻之和,這樣,對于正常工作條件下的電磁場(chǎng)能量,電源產(chǎn)生電路經(jīng)過(guò)上述過(guò)程在Rload=910Ω時(shí),便可獲得—個(gè)3.5V左右的直流工作電壓。具體穩壓電路如圖2。

當VDD變大時(shí),電路中M3、M4管處于飽和狀態(tài),其VDS壓降基本不變,那么V1隨VDD的抬升而升高,則V2相應下降,M6管的電流隨之升高,需要電容CP放電來(lái)補充電流,引起VDD下降,維持恒定;同理,VDD下降時(shí),M6管電流減小,CP充電,引起VDD升高,總體保持不變,而M1、M3和M4管的飽和壓降提供了3.5V電壓值。

結論

當片內電阻為910Ω,電容取500PF時(shí)在卡片與讀寫(xiě)器距離為5CM、6CM、10CM時(shí),輸出電壓可以達到3.5V,有大約02V左右的波動(dòng),有很好的穩定性。
在距離為5CM時(shí),改變片內電容,分別取200PF、500PF、IO00PF,輸出電壓的穩定性隨電容的增加而增加。
固定片內電容為500PF,改變輸入電Vip值,即模擬輸出電壓VDD隨距離d的改變而產(chǎn)生的變化。當Vip低于4.5V時(shí),VDD低2.8V,不能維持電路正常工作需要,故Vip要高于4.5V;隨Vip升高,VDD略有抬高,基本可穩定在3.5V左右,但電源的穩定性變差。

綜上所述,在讀卡器的正常工作距離5—10CM以?xún)?,該電源產(chǎn)生電路可以為卡片內部電路提供其正常工作所需的3.5V直流電壓,解決了卡內持續穩定的電壓源電路的設計需要,具有實(shí)際意義。

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