一種20M低相位噪聲晶體振蕩器的設計
加入技術(shù)交流群
1．2 晶體振蕩器的基本原理
晶體振蕩器的實(shí)現方式有很多種，最常見(jiàn)的是三點(diǎn)式結構，如圖3。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/156180.htm
根據巴克豪森準則，采用負阻模型來(lái)分析振蕩的啟動(dòng)條件：一個(gè)振蕩器如果要起振，所有的阻抗之和必須小于等于0。對于晶體振蕩器來(lái)說(shuō)，工作在振蕩頻率時(shí)，除晶體之外的其余電路必須表現為一個(gè)負阻以補償晶體的串聯(lián)電阻Rs。
Zs表示的是晶體的串聯(lián)支路的阻抗，Zc為其余電路阻抗之和，滿(mǎn)足振蕩的臨界狀態(tài)為：Zs+Zc=0，
由此可以得到能起振的gm的最小值。
根據晶體接入點(diǎn)偏置點(diǎn)的不同，晶體振蕩器可以分為皮爾斯(Pierce)振蕩器、科爾皮茲(Colpitts)振蕩器、桑托斯(Santos)振蕩器三種結構。本文設計的晶體振蕩器采用的是Santos結構。Santos結構中晶體從主振蕩管的柵端接入，由于是單端接入，所以可以節約引腳，另外Santos結構也比較容易起振。
1．3 具體電路設計
本晶體振蕩器的基本電路如圖4所示。
評論