LDMOS結構特點(diǎn)和使用優(yōu)勢

我們的第五代

LDMOS 采用專(zhuān)利的四層金屬堆棧來(lái)進(jìn)一步提升可靠度與平均無(wú)故障時(shí)間 (MTTF)，而寬厚的 AlCu 金屬化方式也比傳統的 LDMOS 在相同 MTTF 下高了 25°C 的接點(diǎn)溫度運作，如果使用于 160°C 的標準晶體管接點(diǎn)溫度上，這項技術(shù)比傳統 W-CDMA 運作應用的 LDMOS 可靠度高上四倍，MTTF 將超過(guò) 1000 年。

我們的 0.14 微米工藝能力可將技術(shù)更進(jìn)一步優(yōu)化，將 LDMOS 效能帶到 LDMOS 效率的理論極限，在此之后，新的器件架構將著(zhù)重于如何讓 LDMOS 為新型態(tài)晶體管運作優(yōu)化，并強化如 Doherty 等概念。

運作面：

絕佳的穩定性，由于負汲極電流溫度常數，所以不受熱散失的影響

比雙載子更能忍受較高的負載未匹配現象 (VSWR)，提高現場(chǎng)實(shí)際應用的可靠度

卓越的射頻穩定度，在閘極與汲極間內置隔離層，可以降低回授電容

在平均無(wú)故障時(shí)間 (MTTF) 上有相當好的可靠度

LDMOS 的優(yōu)勢

技術(shù)面：

卓越的效率，可降低功率消耗與冷卻成本

卓越的線(xiàn)性度，可將信號預校正需求降到最低

優(yōu)化超低熱阻抗，可縮減放大器尺寸與冷卻需求并改善可靠度

卓越的尖峰功率能力，可帶來(lái)最少數據錯誤率的高 3G 數據率

高功率密度，使用較少的晶體管封裝

超低感抗、回授電容與串流閘阻抗，目前可讓 LDMOS 晶體管在雙載子器件上提供 7 bB 的增益改善

直接源極接地，提升功率增益并免除 BeO 或 AIN 隔離物質(zhì)的需求

在 GHz 頻率下?lián)碛懈吖β试鲆?，帶?lái)更少設計步驟、更簡(jiǎn)易更具成本效益的設計 (采用低成本、低功率驅動(dòng)晶體管)。