光纖特性的拉絲張力介紹

拉絲張力主要受拉絲爐溫控制，因此拉絲張力(F)可用拉絲溫度(T)表示為：

　　F=A+B/T (1)

　　式中A和B分別為表面張力和粘滯流動(dòng)常數。

　　但是玻璃是一種近程有序、遠程無(wú)序的無(wú)定形“過(guò)冷液體”。玻璃的粘度、離子擴散速度等一類(lèi)性質(zhì)，在高溫熔體冷卻過(guò)程中是逐漸變化的。在轉變溫度以下主要取決于玻璃網(wǎng)絡(luò )結構和網(wǎng)絡(luò )外離子的配位狀態(tài)的統計規則。光纖以非常高的冷卻速度(2000-8000℃/s)迅速從2000℃左右冷卻至室溫，使其高溫結構迅速凍結。熔體在冷卻過(guò)程中質(zhì)點(diǎn)或原子團重新排列，玻璃結構也隨外界條件而變化，這就是拉絲張力對光纖性能起重大作用的根本原因。

　　拉絲張力與光纖衰減的平衡點(diǎn)

　　由于拉絲張力的大小是通過(guò)拉絲爐溫度來(lái)控制的，拉絲爐溫度越高，玻璃軟化程度越大，拉絲張力就越小。

　　從圖1中可以看出，對于1310nm窗口衰減，隨著(zhù)拉絲張力的增加，光纖的衰減會(huì )發(fā)生先降后升，呈拋物線(xiàn)形，而1550nm窗口處衰減在一點(diǎn)的拉絲張力范圍內并沒(méi)有隨拉絲張力發(fā)生明顯變化的現象。

　　這是由于在高溫下，容易誘發(fā)石英玻璃內部點(diǎn)缺陷的形成，造成光纖衰減的增大。在高溫下，石英內部容易發(fā)生下面的反應式(2)：

　　SiOSi+H2→SiOH+HOSi (2)

　　SiOH的吸收峰正是在1380nm附近，這會(huì )帶動(dòng)光纖在1310nm窗口處衰減一同增大。同時(shí)，拉絲過(guò)程是高溫預制棒體積急劇變化的過(guò)程，預制棒在高溫下經(jīng)過(guò)拉伸，其本身的化學(xué)鍵可能被破壞，且光纖又經(jīng)過(guò)迅速冷卻降溫，更容易造成光纖本身缺陷的增加和原有缺陷的發(fā)展，而這些缺陷會(huì )造成光纖瑞利散射衰減增大，溫度差越大，這種破壞越強。而瑞利散射是與波長(cháng)的四次方成反比的，所以在1550nm處衰減隨溫度的變化沒(méi)有1310nm波長(cháng)處明顯。

　　隨著(zhù)溫度的降低，上述兩種作用機制共同作用，使得光纖的衰減變小，但是隨著(zhù)溫度的進(jìn)一步降低，光纖所受的張力越來(lái)越大，材料的粘度分布將逐漸由均勻分布到不均勻分布。在此種條件下拉絲，會(huì )在石英材料中間形成不同程度的應力集中，這會(huì )抵消溫度降低帶來(lái)的光纖衰減減小的效果。如果進(jìn)一步降低拉絲溫度，光纖中應力集中占到更重要因素，使得光纖的衰減重新增加。

　　單模光纖的兩大重要性能

　　截止波長(cháng)和模場(chǎng)直徑是單模光纖的兩個(gè)極為重要的性能參數，拉絲張力是拉絲工藝中重要的控制參數之一。

　　截止波長(cháng)指的是, 單模光纖通常存在某一波長(cháng)，當所傳輸的光波長(cháng)超過(guò)該波長(cháng)時(shí)，光纖只能傳播一種模式基模的光，這一波長(cháng)便稱(chēng)為截止波長(cháng)。截止波長(cháng)大小由光棒的結構參數，如光纖的芯徑以及芯、包層間的相對折射率差△決定。模場(chǎng)直徑，因為單模光纖中關(guān)能量并不是完全集中在纖芯中, 而是有相當部分的能量存在包層中，所以對單模光纖不宜用芯徑作為其特征參數，而是用模場(chǎng)直徑作為描述單模光纖中光能集中的范圍，一般以光強分布最大值的1/e2所對應的光斑大小作為模場(chǎng)直徑。拉絲張力為光纖成形區因石英粘度所產(chǎn)生的阻力與光纖涂覆時(shí)所受的阻力之和。拉絲張力是由加熱爐工作溫度和拉絲速度共同決定的。

　　溫度是光纖特性改變的關(guān)鍵

　　截止波長(cháng)的理論計算公式為：